[发明专利]多层反射镜

说明书

本发明公开了一种多层反射镜，所述多层反射镜包括作为最外层的石墨烯。

本申请是于2011年3月17日递交的、发明名称为“光刻设备和方法”、申请号为201180031217.3的中国专利申请以及于2014年3月5日递交的、发明名称为“用于EUV掩模版的表膜和多层反射镜”、申请号为201410077948.7的中国专利申请的分案申请。

相关应用的交叉引用

本申请要求2010年6月25日递交的美国临时申请61/358,645的优先权和2010年7月9日递交的美国临时申请61/362,981的优先权，两者通过引用全文并于此。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

光刻术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的将要制造的IC或其他器件和/或结构来说，光刻术正变成更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是随工艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三中途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内波长的电磁辐射，例如在5-10nm范围内的波长的电磁辐射，例如6.7nm或6.8nm波长的电磁辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环所提供的同步加速器辐射。

可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于包含等离子体的源收集器模块。例如可以通过引导激光束到燃料，例如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的流，来产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。

在一个替换的布置中，用于产生EUV辐射的辐射系统可以使用放电来产生等离子体。放电通入气体或蒸汽(例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽)，产生极高温的等离子体，其发生EUV辐射。这种辐射系统通常称为放电产生的等离子体(DPP)源。

EUV源内的等离子体形成可能会造成从燃料产生污染物颗粒。这些污染物颗粒可以以相对快的速度移动或以相对慢的速度移动，在相对快的速度移动情形中，污染物颗粒趋向于大体沿着辐射束的路径移动，在相对慢的速度移动情形中，污染物颗粒自由地进行布朗运动。在一些光刻设备中，相对慢移动的污染物颗粒可以通过光刻设备内的气体流动输运。