[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，本发明在第三道光罩工艺中，对光阻表面进行疏水性处理，形成疏水性基团；而疏水性基团的存在，使得溶液型透明金属和OLED材料不会覆盖在光阻表面，便于光阻的剥离，使得剥离效率以及制程效率提高；而光阻的存在使得OLED材料能形成固定的图案，节省了一道光罩，降低了制作成本。

技术领域

本发明涉及平板显示器制造技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。

背景技术

LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)是一种被广泛应用的平板显示器，主要是通过液晶开关调制背光源光场强度来实现画面显示。而OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)器件由于自发光、全固态、宽视角、响应快等优点，在平板显示产品中有巨大应用前景，甚至被认为是继LCD、PDP(plasma display panel，等离子)之后的新一代的平板显示产品。

LCD和OLED显示装置中均包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件。在工艺上，薄膜晶体管制程一般采用五道光罩(5mask)，过多的光罩次数会增加制程成本，同时也会增大生产时间，使生产效率大大降低。为了达到缩减光罩数量的目的，很多公司纷纷发展四道光罩(4mask)技术，将AS(有源层)和S/D(源漏极)用一道HTM(半色调光罩)或GTM(灰阶光罩)同时形成。HTM或GTM光罩可以使光阻得到两种不同的膜厚，这两种膜厚分别可以用来定义AS和SD的图案。

为了进一步缩减光罩数量，采用Lift-off(剥离工艺)制程可以将ITO(透明金属层)和PV(钝化层)用一张光罩同时形成，从而使总光罩数量减小至三张(3mask)。但传统的3mask制程多数只针对TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)模式，ITO并不形成狭缝图形；或者ITO形成狭缝图形，但因ITO只能沉积于挖洞处，使所有ITO层(包括像素区)都处在氮矽化合物的凹槽中，ITO横向电场减弱，影响液晶显示效果，形成使显示器亮度不均匀。随着技术的发展，改进后的3mask技术PV/ITO层使用一张HTM或GTM光罩形成，使像素区的ITO既能形成狭缝，又能覆盖在PV层上方，形成与4mask完全一样的结构。

而此3mask技术难点在于光阻被ITO覆盖后难以被剥离，使剥离效果差，效率低。另外，光阻剥离残留和毛边问题都会严重影响制程或产品性能。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，以解决薄膜晶体管阵列基板的制造过程中光阻因被透明金属层覆盖而难以被剥离的问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，所述制造方法包括：

步骤S110，使用第一光罩，在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线；

步骤S120，使用第二光罩，在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层；

步骤S130，在所述钝化层上涂布第一光阻层，采用灰色调掩模板或半透式掩模板对所述第一光阻层进行曝光，使所述光阻图案化，形成相互分离的第一光阻区域和第二光阻区域；

步骤S140，通过蚀刻工艺移除所述钝化层中未被所述第一光阻区域和所述第二光阻区域覆盖的部分，形成钝化层过孔，以露出漏极；

步骤S150，对所述第一光阻区域和所述第二光阻区域进行灰化处理，保留部分第一光阻区域和部分第二光阻区域；

步骤S160，对所述部分第一光阻区域和部分第二光阻区域的表面进行疏水处理；