[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一第一介电层于一晶体管之上；

形成一第二介电层于该第一介电层之上；

形成一第一开口在该第二介电层内，以露出该晶体管的一栅极电极的至少一部分；

形成一第二开口在该第一介电层内，以露出该晶体管的一源极/漏极区的至少一部分，其中该第二开口与该第一开口相连，且其中该第一开口在该第二开口之前形成；以及

形成一电连接器于该第一开口和该第二开口内。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中在该第二开口形成之后，该栅极电极的一顶面和该栅极电极的一侧壁之间的一夹角大致上为直角。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括在形成该第二介电层之前，于该第一介电层的一顶面和该栅极电极的一顶面上实施一平坦化制程。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中在该第二介电层内形成该第一开口包括：

沉积一光阻层、一掩模层和一底层于该第二介电层之上；

将该光阻层、该掩模层和该底层图案化；以及

经由该图案化的光阻层、该图案化的掩模和该图案化的底层蚀刻该第二介电层，以形成该第一开口。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中在该第一介电层内形成该第二开口包括：

形成一底层于该第二介电层之上，该底层至少部分设置于该第二介电层内的该第一开口中；

形成一掩模层于该底层之上；

形成一光阻层于该掩模层之上；

将该光阻层、该掩模层及该底层图案化；以及

经由该图案化的光阻层、该图案化的掩模层和该图案化的底层蚀刻该第一介电层，以形成该第二开口。

6.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其中该第二开口通过蚀刻该第一介电层的沿着该第一开口的一底面延伸的一部分而形成。

7.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其中在该光阻层、该掩模层和该底层的图案化之后，位于该底层内的一第三开口设置在该第一开口中。

8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该电连接器将该栅极电极电性连接至该源极/漏极区。

9.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一开口的一底面沿着该第一介电层、该栅极电极、一栅极间隔物和一栅极介电层延伸。

10.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一介电层延伸于该第二开口与该晶体管的一栅极间隔物之间。

11.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一鳍式场效晶体管，该鳍式场效晶体管包括一栅极结构和多个源极/漏极区；

形成一第一介电层于该鳍式场效晶体管上方；

将该第一介电层的一顶面和该栅极结构的一顶面平坦化；

形成一第二介电层于该第一介电层和该栅极结构上方；

蚀刻该第二介电层，以形成一第一开口，该第一开口暴露出该栅极结构的一栅极电极的至少一部分和覆盖在该多个源极/漏极区中的一个的该第一介电层的一部分；

经由该第一开口蚀刻该第一介电层，以露出该多个源极/漏极区中的该一个的至少一部分；以及

在该第一介电层和该第二介电层内形成一电连接器，该电连接器接触该栅极电极和该多个源极/漏极区中的该一个的该部分。

12.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中该第一开口露出该栅极结构的一栅极介电层。

13.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中该栅极电极的接触该电连接器的一表面大致上与该第一介电层的该顶面齐平。