[发明专利]三薄膜晶体管结构的液晶显示器及显示装置有效
申请号: | 201710693057.8 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107272237B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 陈帅 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G09G3/36 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 结构 液晶显示器 显示装置 | ||
本发明公开了一种三薄膜晶体管结构的液晶显示器,包括阵列像素单元、数据驱动芯片、行驱动芯片、时序控制器和放电模块,放电模块包括多个控制端与多个电压输出端,放电模块的多个控制端分别连接时序控制器的多个控制端;第一像素单元包括三个薄膜晶体管TFT、第一液晶显示单元和第二液晶显示单元,三个TFT包括主TFT、次TFT和共享TFT,放电模块的电压输出端用于在第一像素单元处于正极性驱动时输出第一放电电压,用于在第一像素单元处于负极性驱动时输出第二放电电压,第一放电电压与第二放电电压均大于公共电极的电压。实施本发明实施例,可以降低画面闪烁,提高显示效果。本发明还提供了一种显示装置。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,具体涉及一种三薄膜晶体管结构的液晶显示器及显示装置。
背景技术
目前的液晶显示器中,为了改善液晶显示面板大视角显示特性,常采用三薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)结构,3TFT结构简称3T结构。3T结构包含2个显示畴区域,分别为主显示区域(main domain)和次显示区域(sub domain),3T结构中的3个TFT分别为主TFT、次TFT和共享TFT。3T结构的工作原理如下:当栅极线打开时,数据线通过主TFT和次TFT分别对主显示区域内的液晶分子和次显示区域内的液晶分子进行充电,与此同时,共享TFT对次显示区域内的液晶分子进行放电,此种方式造成主显示区域的像素电压与次显示区域的像素电压不同,实现液晶分子的不同偏转角度,补偿大视角下的色偏问题。
在不同的像素电压下,液晶电容是不同的,像素电压越大,液晶电容越大。由于电容耦合效应,像素电压与实际驱动电压存在压降,像素电压要小于实际驱动电压,并且,对于不同灰阶的像素电压,其压降不同。在3T结构中,由于同一灰阶中仅仅设计一组驱动电压,并且主显示区域和次显示区域的公共电极电压相同,而实际上主显示区域和次显示区域的像素电压却不相同,这会导致显示画面出现闪烁。
发明内容
鉴于此,本发明提供了一种三薄膜晶体管结构的液晶显示器及显示装置,可以降低画面闪烁,提高显示效果。
本发明第一方面提供了一种三薄膜晶体管结构的液晶显示器,包括阵列像素单元、数据驱动芯片、行驱动芯片、时序控制器和放电模块,所述放电模块包括多个控制端与多个电压输出端,所述放电模块的所述多个控制端分别连接所述时序控制器的多个控制端;
第一像素单元包括三个薄膜晶体管TFT、第一液晶显示单元和第二液晶显示单元,所述三个TFT包括主TFT、次TFT和共享TFT,所述主TFT对应所述第一液晶显示单元,所述次TFT对应所述第二液晶显示单元;所述第一像素单元为所述阵列像素单元中的任一个像素单元;
所述行驱动芯片的栅极线连接所述主TFT的栅极、所述次TFT的栅极和所述共享TFT的栅极,所述数据驱动芯片的数据线连接所述主TFT的源级和所述次TFT的源级,所述主TFT的漏极连接所述第一液晶显示单元的第一端,所述次TFT的漏极连接所述第二液晶显示单元的第一端,所述第一液晶显示单元的第二端和所述第二液晶显示单元的第二端连接公共电极,所述共享TFT的源级连接所述第二液晶显示单元的第一端,所述共享TFT的漏极连接第一放电单元的电压输出端;
所述行驱动芯片用于通过所述栅极线开启所述主TFT、所述次TFT和所述共享TFT,所述数据驱动芯片用于在所述主TFT和所述次TFT开启时通过所述数据线为所述主TFT对应的所述第一液晶显示单元充电以及为所述次TFT对应的所述第二液晶显示单元充电;当所述共享TFT开启时,所述共享TFT用于通过所述放电模块为所述第二液晶显示单元放电;
所述放电模块的电压输出端用于在所述第一像素单元处于正极性驱动时输出第一放电电压,用于在所述第一像素单元处于负极性驱动时输出第二放电电压,所述第一放电电压与所述第二放电电压均大于所述公共电极的电压。
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