[发明专利]真空电子束熔炼用冷坩埚

权利要求书

1.一种真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，包括顶部中心形成有物料池的坩埚，以及与所述的坩埚底部固定连接的底座；

物料池底部水冷机构包括于坩埚于物料池底部向内凹陷地形成的水槽，所述的水槽由所述的底座将下开口封闭，其中，在所述的水槽内固定设置有导流立柱，所述的导流立柱上端或下端形成有过流孔以使所述的水槽与过流孔配合构成上下迂回式水道；

物料池周侧水冷机构包括形成在所述的坩埚于物料池周侧的底部且下端口被所述的底座密封的n个水孔，n为不小于3的自然数；形成在所述的底座上的n个通孔；与所述的通孔一一对应地固定设置且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的底座底面的连通部，水孔两两为一组且由连接槽连通，所述的连通部用以连通两组水孔间对应的导水管，所述的水槽与所述的水孔或导水管由接引部导通；

所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、连接槽、导水管、水槽、接引部及连通部构成整体单向通道。

2.如权利要求1所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的n为奇数，所述的水槽为一段C型水槽，一个导水管与进水管连通，水槽一端与出水管连通，一个水孔与所述的水槽的另一端由接引部连通，所述的连通部为(n-1)/2个以连通对应组的导水管。

3.如权利要求1所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的n为偶数，所述的水槽为一段C型水槽，所述的水槽的两端分别与一组水孔通过接引部连通，所述的两段接引部及水槽构成该组水孔的连接槽，所述的连通部为n/2-1个以连通对应组的导水管,剩余的两个导水管分别与进水管和出水管连通。

4.如权利要求1所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的水槽为两段直线水槽，所述的n为偶数，所述的连通部为n/2-1个以将对应组的导水管连通，剩余的两个导水管分别通过接引部连接至所述的直线水槽的一端，直线水槽的另一端分别对应设置进水管和出水管。

5.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的水孔沿坩埚的轴向平行设置，水槽等宽等深设置且深度方向均与坩埚的轴向平行，所述的水孔和水槽的壁厚在5-10mm。

6.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的导水管内的水流截面积、导水管和水孔间的水流截面积相同、所述的连接槽的水流截面积均与过流孔的水流截面积对应。

7.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，还包括测温机构，在坩埚的物料池底部和/或物料池周侧设置有轴向延伸的测量孔，在底座上对应设置穿孔，所述的测温机构匹配地穿过穿孔插入所述的测量孔。

8.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，还包括与所述的底座密封固定连接基座，在所述的底座底面形成有连通槽，所述的基座将所述的连通槽下端口封闭以构成所述的连通部。

9.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的连接槽形成在坩埚的下表面或底座的上表面并由底座或坩埚将连接槽的槽口封闭以构成水流通道。

10.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的过流孔由导流立柱端部的通孔形成。

11.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的过流孔由所述的导流立柱端面与水槽顶面或底座上表面间的间隙构成。

12.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的水槽两侧形成有弧形凹窝以定位所述的导流立柱，所述的导流立柱过渡配合或者过盈配合地设置在所述的水槽内。

13.如权利要求1-4任一项所述的真空电子束熔炼用冷坩埚，其特征在于，所述的连通部为连通管，所述的连通管与对应的导通的两根所述的导水管一体形成。