[发明专利]一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法

说明书

本发明提供一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致；将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长进行镀膜；将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。由于盛放硅片的石墨舟可以快速地进入和传出工艺腔室，本发明实施例能够快速地对硅片的镀膜效果进行检测，进而快速判定出影响镀膜效果的因素，可以提高生产效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法。

背景技术

太阳能电池制作过程中，PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)是其中重要的一道工序，其目的是在硅片表面形成一层减反射膜。该反射膜对颜色、膜厚和折射率均有一定的要求。在链式PECVD设备镀膜过程中，由于各单管反应气体或者微薄的不均匀，加上温度、时间的差异，导致电池片颜色差异大，膜厚和折射率不均匀，达不到设计要求，从而影响电池转换效率，因此亟需一种判定影响镀膜效果的检测方法。

目前传统的对镀膜效果进行检测的主要方式是：凭借经验对设备进行维护，也就是打开工艺腔室进行清理并查找问题。但是这种检测方式用时过长，会造成产量降低，进而导致成本升高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，能够快速地对硅片的镀膜效果进行检测，进而快速判定出影响镀膜效果的因素，以提高生产效率，降低生产成本。

本发明实施例提供一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，包括：

将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致，所述工艺腔室包括多个单管；

将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；

将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；

将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长，工艺腔室的各单管对所述硅片进行镀膜；

将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；

对所述硅片的镀膜进行测量，并根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。

进一步地，所述将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室之前，还包括：将工艺腔室的微波功率设定为预设功率值；将工艺腔室的压力设定为预设压力值；将工艺腔室的温度设定为预设温度值。

进一步地，所述对所述硅片的镀膜进行镀膜效果的测量，包括：对所述硅片的镀膜的厚度进行测量；对所述硅片的镀膜的折射率进行测量；根据所述硅片的镀膜的厚度和折射率，确定所述硅片的镀膜效果。

进一步地，所述第一流量值的范围为150标准毫升/分钟～180标准毫升/分钟。

进一步地，所述第二流量值的范围为90标准毫升/分钟～110标准毫升/分钟。

进一步地，所述工艺腔室中单管的数量为4根、6根或8根。

进一步地，当工艺腔室中单管的数量为6根时，所述第一部分单管为工艺腔室的前3根单管，所述第二部分单管为工艺腔室的后3根单管。

进一步地，第三流量值的范围为300标准毫升/分钟～350标准毫升/分钟。

进一步地，所述第一预设速度的范围和第二预设速度范围均为1500厘米/分钟～1800厘米/分钟。