[发明专利]一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构及制备方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，包括：电池片、正电极线、负电极线；所述电池片背面设置N+极和P+极；

所述正电极线和负电极线分别环绕在所述电池片背面，且正电极线与负电极线相互交错；

所述正电极线丝印于P+极(11)上；所述负电极线丝印于N+极(13)上；所述电池片背面刻蚀沟槽，P+极(11)或N+极(13)的一种位于沟槽内。

2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述电池片从正面到背面依次包括：制绒面(7)、前表面场(8)、衬底(9)、背表面场(10)；所述背表面场包括由B掺杂形成的P+极(11)、由P扩散形成的N+极(13)。

3.根据权利要求1或2任一项所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述制绒面(7)上覆盖减反射镀膜。

4.根据权利要求1或2任一项所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述衬底(9)为P型硼衬底或N型硅衬底的一种。

5.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述正电极线包括：正触点电极(1)、正条状接触电极(2)，正环线接触电极(3)；所述正触点电极(1)位于所述电池片外边缘一侧，且正触点电极(1)引出正条状接触电极(2)至电池片背部中心位置，所述正环线接触电极(3)从正触点电极(1)和正条状接触电极(2)两侧引出。

所述负电极线包括：负触点电极(4)，负条状接触电极(5)，负环线接触电极(6)；所述负触点电极(4)位于所述电池片外边缘一侧，且负触点电极(5)引出负条状接触电极(5)至电池片背部中心位置，所述负环线接触电极(6)从负触点电极(4)和负条状接触电极(5)两侧引出。

6.根据权利要求1或5任一项所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述正环线接触电极(3)设置至少四条；最外条正环线接触电极(3)沿电池片外边环绕至所述负触点电极(4)或负条状接触电极(5)的一种，且每条正环线接触电极(3)互相平行且向电池片背部中心位置缩进；

所述负环线接触电极(6)设置至少四条；最外条负环线接触电极(6)沿电池片外边环绕至所述正触点电极(1)或正条状接触电极(2)的一种，且每条负环线接触电极(6)互相平行且向电池片背部中心位置缩进。

7.根据权利要求1或5任一项所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述正环线接触电极(3)和负环线接触电极(6)交错设置，且外环线接触电极(6)环绕正环线接触电极(3)至所述正触点电极(1)或正条状接触电极的一种。

8.根据权利要求1或5任一项所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述正触点电极(1)和负触点电极(4)关于所述电池片中心轴对称。

9.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构，其特征在于，所述沟槽深度确保正电极丝和N+极(13)不接触，负电极线丝和P+极(11)不接触。

10.一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：选择衬底(9)，并用HF酸和HCl溶液浸泡清洗；

S2：在衬底(9)正面用低浓度碱溶液腐蚀，制成具有椎体的制绒面(7)；并在制绒面(7)上进行P扩散，形成前表面场(8)；

S3：采用PECVD工艺，在所述制绒面(7)上覆盖减反射镀膜；

S4：在衬底(9)背面B掺杂区掺杂B，形成P+极(11)；并采用PECVD工艺在衬底(9)背面沉积Si3N4层(12)；并采用湿法刻蚀或干法刻蚀的一种在P+极(11)上丝印刻蚀光阻；

S5：在衬底(9)背面采用HF酸和HNO3刻蚀出P扩散区沟槽，并通入含P蒸汽，进行扩散形成N+极(13)；并利用BHF去除步骤S2中的Si3N4层(12)，再次采用PECVD工艺沉积Si3N4层(12)；并采用湿法刻蚀或干法刻蚀的一种在N+极(13)上丝印刻蚀光阻；

S6：在P+极(11)上丝印正电极线并烧结，在所述N+极(13)上丝印负电极线并烧结。