[发明专利]一种降低硅片镀膜白斑片的退火方法有效
申请号: | 201710689923.6 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107394010B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 郭飞;彭平;夏中高;顾鹏 | 申请(专利权)人: | 平煤隆基新能源科技有限公司;中国平煤神马能源化工集团有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 41102 | 代理人: | 王理君 |
地址: | 452670 河南省许*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 硅片 镀膜 白斑 退火 方法 | ||
1.一种降低硅片镀膜白斑片的退火方法,依次包括升温、稳定、恒温、冷却四个步骤,其特征在于,所述恒温步骤的参数确定方法包括以下步骤:
第一步,对刻蚀后的硅片进行退火加工,将加工所得的物料通过测试机进行方阻测试,确认退火方案可行;
第二步,将第一步退火加工所得的物料进行亲水测试A,确认二氧化硅层均匀性,进而确认退火方案可行;
第三步,通过DOE实验B确认影响镀膜白斑片主要因子为退火温度和氧气流量水平值,得到主要因子的最佳水平组合值,
所述升温步骤中,控制温度650-800℃,持续时间400-900s,期间通入氧气速度为100-1000ml/min,通入氮气速度为10000-20000ml/min,
所述稳定步骤中,控制温度650-800℃,持续时间400-900s,期间通入氮气速度为8000-15000ml/min,
所述恒温步骤中,控制温度650-800℃,持续时间1000-2000s,期间通入氧气速度为1000-4000ml/min,通入氮气速度为10000-20000ml/min,
所述冷却步骤中,控制温度600-800℃,持续时间400-1000s,期间通入氮气速度为20000-40000ml/min。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜白斑片的退火方法,其特征在于,所述测试机选用四探针测试仪。
3.根据权利要求1所述的降低硅片镀膜白斑片的退火方法,其特征在于,所述亲水测试A包括以下步骤:
A1,取退火后的硅片放置在倾斜度为30°的斜坡上,线痕方向与水流方向平行;
A2,用移液枪在硅片上方3厘米处,选取同一水平面上的五个点平行测试,按下上部旋钮,自然滴落一滴DI水;
A3,测量水滴在10秒内自然流淌长度,对5个长度值进行数据处理,确认硅片的亲水性能。
4.根据权利要求1所述的一种降低硅片镀膜白斑片的退火方法,其特征在于,所述DOE实验B包括以下步骤:
B1,选取多个温度值和相应的数量的氧气流量值,建立二因子正交统计表;
B2,根据B1所得的统计表依次进行加工,得到对应的多个产品;
B3,将B2所得的产品依次进行方阻测试和亲水测试,在满足测试条件的基础上,统计多组对应产品在镀膜工序出现白斑的数量;
B4,对B3所得的多组产品在镀膜后出现白斑片的数量进行对比,选取其中最少的一组,其对应的温度值和氧气流量值即为主要因子的最佳水平值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于平煤隆基新能源科技有限公司;中国平煤神马能源化工集团有限责任公司,未经平煤隆基新能源科技有限公司;中国平煤神马能源化工集团有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710689923.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的