[发明专利]基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器

权利要求书

1.一种电磁场强度调制器，所述电磁场强度调制器包含石墨烯层(1)、电容层(2)、导电介质层(3)、导电螺线圈(4)、磁芯(5)；所述电容层(2)位于石墨烯层(1)和导电介质层(3)之间，导电介质层(3)位于磁芯(5)端面上方，导电螺线圈(4)环绕于磁芯(5)非端面的磁芯外表面，其中磁芯(5)的端面抛光度高于1.0微米，并且其中磁芯(5)的端面作为反射面和衬底。

2.根据权利要求1所述的电磁场强度调制器，其中所述的石墨烯层(1)包括1层，2层或者更多层石墨烯。

3.根据权利要求1所述的电磁场强度调制器，其中所述的石墨烯层(1)的石墨烯掺杂类型包括n型，p型或者本征。

4.根据权利要求1所述的电磁场强度调制器，其中导电介质层(3)在100GHz～30THz频率范围内为透明物质，并且具有导电性能。

5.根据权利要求4所述的电磁场强度调制器，其中导电介质层(3)选自硅和砷化镓。

6.根据权利要求1所述的电磁场强度调制器，其中导电介质层(3)的厚度为0至1毫米。

7.根据权利要求3所述的电磁场强度调制器，其中磁芯(5)为铁磁性金属。

8.根据权利要求7所述的电磁场强度调制器，其中磁芯(5)选自铁，钴，镍。

9.根据权利要求1所述的电磁场强度调制器，其中导电螺线圈(4)为金属材料。

10.根据权利要求9所述的电磁场强度调制器，其中导电螺线圈(4)选自铜、银和金。

11.根据权利要求1所述的电磁场强度调制器，其中导电螺线圈(4)为超导材料。

12.根据权利要求11所述的电磁场强度调制器，其中导电螺线圈(4)选自钇钡铜氧、铌钛合金和锡化铌。

13.根据权利要求1所述的电磁场强度调制器，其中电容层(2)为绝缘性材料。

14.根据权利要求13所述的电磁场强度调制器，其中电容层(2)选自二氧化硅，三氧化二铝和聚乙烯。

15.根据权利要求4所述的电磁场强度调制器，其中电容层(2)的厚度为1nm至1mm。