[发明专利]一种改善多晶硅表面平坦度的方法

权利要求书

1.一种改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，包括下述步骤：

在柔性基板上镀上缓冲层；

在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层；

采用氟化氢溶液和臭氧水溶液对所述非晶硅层的表面进行清洗，再对所述非晶硅层的表面采用准分子激光退火处理，制备得到多晶硅层；

通过涂布机在所述多晶硅的表面涂布光阻，对多晶硅表面的光阻进行曝光处理，采用弱光束进行曝光，使得每次被曝光的光阻厚度较小，再采用显影液对多晶硅表面进行显影处理，去除其表面感光光阻；如果多晶硅表面的突起部分没有被暴露出来，则继续对多晶硅表面的光阻采用弱光束进行曝光处理，曝光后再采用显影液进行显影处理，直至多晶硅表面的突起部分被暴露出来，而且平坦区域被光阻覆盖；

其中，所述光阻的厚度范围为5000~10000埃米，所述显影液中的显影剂浓度范围为0.5%~2.5%；

对所述多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述缓冲层包括SiNx层和/或SiOx层。

3.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述缓冲层上沉积的SiNx层、SiOx层、非晶硅层的厚度范围依次为：400~700埃米、2000~4000埃米、400~700埃米。

4.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层具体为：

通过等离子体增强化学的气相沉积工艺在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层。

5.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层之后还包括下述步骤：

去除所述非晶硅层中的氢。

6.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述氟化氢溶液中氟化氢的浓度范围为0.5%~1%，所述臭氧水溶液中臭氧的含量为15ppm~25ppm。

7.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，对所述多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀具体包括：

将氯气和/或氟类气体进行电离，得到蚀刻气体，通过所述蚀刻气体对所述多晶硅表面的突起部分进行刻蚀。

8.根据权利要求2所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，所述缓冲层所包括的SiNx层和SiOx层的厚度范围依次为：500~1000埃米、3000~6000埃米。

9.根据权利要求5所述的改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，在430~490℃范围内去除所述非晶硅层中的氢。