[发明专利]一种氮化硅宽频带透波材料

权利要求书

1.一种氮化硅宽频带透波材料，其特征为：所述的材料包括七层，所述的材料包括Si₃N₄、Al₂O₃、Y₂O₃、造孔剂和分散剂，对应比例为1：x₁：x₂：x₃：x₄：x₅；

从上至下第一、三、五、七层材料配比相同，其中x₁＝0.03-0.08，x₂＝0.02-0.04，x₃＝0.06-0.1，x₄＝0.01-0.03，x₅＝5-13；

从上至下第二、四、六层材料配比相同，其中x₁＝0.01-0.05，x₂＝0.03-0.08，x₃＝0.1-0.5，x₄＝0.04-0.08，x₅＝13-20。

2.根据权利要求1所述的一种氮化硅宽频带透波材料，其特征为：所述材料每一层通过多层氮化硅薄膜叠加而成。

3.根据权利要求2所述的一种氮化硅宽频带透波材料，其特征为：所述的氮化硅薄膜通过流延成型制备而成。

4.根据权利要求3所述的一种氮化硅宽频带透波材料，其特征在于通过以下方法进行流延成型：

步骤一，将浆料材料Si₃N₄粉体、Al₂O₃粉体、Y₂O₃粉体、造孔剂、丙烯酸分散剂、液体乙醇与聚乙烯醇混合为物料，将物料在200～500r/min转速下球磨24～48小时后制得浆料；

步骤二，将浆料真空除泡后在玻璃基板上流延成型，流延过程中刮刀速度为5～30cm/min；将流延成型的浆料在真空20-80℃条件下进行干燥成型。

5.根据权利要求1所述的一种氮化硅宽频带透波材料，其特征为：第一、三、五、七层材料配比为x₁＝0.05，x₂＝0.03，x₃＝0.1，x₄＝0.02，x₅＝10；

第二、四、六层材料配比为x₁＝0.02，x₂＝0.05，x₃＝0.5，x₄＝0.05，x₅＝15。