[发明专利]微反射镜的制造方法

权利要求书

1.一种微反射镜的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供一(100)晶面的硅衬底；

以掩模板为掩模对所述硅衬底的顶面进行刻蚀，以形成标记图案，所述标记图案包括多个标记；所述掩模板包括两个掩模阵列，所述两个掩模阵列的几何中心之间的连线与所述硅衬底的初始的[110]晶向平行，每个所述掩模阵列包括等间隔设置的多个第二掩模，所述多个第二掩模的几何中心位于同一个圆上，每个所述掩模阵列中的多个第二掩模关于所述两个掩模阵列的几何中心之间的连线对称；

从所述标记图案中找出与所述第二掩模的形状相似度最高的两个所述标记，则两个所述标记的几何中心之间的连线为所述硅衬底的[110]晶向；

在所述硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；

对所述硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在所述硅衬底的顶面形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括多个第一掩模，每个所述第一掩模与所述硅衬底的[110]晶向的夹角为45°；

对形成有所述第一掩模图案的硅衬底进行湿法腐蚀，以在所述硅衬底的表面形成多个45°的V型槽或梯形槽；

利用等离子体刻蚀技术对形成有所述多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行干法刻蚀，以获得微反射镜样材；

对所述微反射镜样材进行划片切割，以获得多个45°的微反射镜；

对形成有所述第一掩模图案的硅衬底进行湿法腐蚀步骤中所采用的溶液为硅的各向异性腐蚀液和非离子表面活性剂溶液的混合液；所述硅的各向异性腐蚀液是掺杂的四甲基氢氧化铵溶液，掺杂剂为硅酸或过硫酸铵，四甲基氢氧化铵溶液的浓度为10％～25％，所述非离子表面活性剂溶液为异丙醇溶液与聚乙二醇辛基苯基醚溶液的混合液或者异丙醇溶液与NCW系列的混合液，其中，所述NCW系列选自NCW-1001、NCW-1002、NCW-1003、NCW-1004中的一种。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多个第一掩模沿直线等间隔设置，相邻两个所述第一掩模之间的间隔为200～500微米；和/或所述第一掩模为长方体，所述第一掩模的宽度为50～200微米。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用等离子体刻蚀技术对形成有所述多个45°的V型槽或梯形槽的硅衬底进行干法刻蚀之后，所述制造方法还包括：

在干法刻蚀后的硅衬底的表面沉积一反射膜，以获得所述微反射镜样材。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，每个所述掩模阵列中第二掩模的个数为5～20，每个所述掩模阵列中相邻两个所述第二掩模之间的角度为0.1°～0.5°。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二掩模为正方体或长方体。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述V型槽或梯形槽的深度为100～500微米，和/或所述V型槽或梯形槽的宽度为100～200微米。