[发明专利]集成扇出式封装及其形成方法

说明书

本揭露实施例公开集成扇出式封装及其形成方法。一种集成扇出式封装包括：第一管芯、至少一个集成扇出式穿孔以及模制层。所述至少一个集成扇出式穿孔位于所述第一管芯旁边，且包括晶种层及金属层。所述模制层包封所述至少一个集成扇出式穿孔及所述第一管芯。此外，所述晶种层环绕所述金属层的侧壁，且位于所述金属层与所述模制层之间。

技术领域

本揭露涉及集成扇出式封装及其形成方法。

背景技术

近年来，由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业经历了快速成长。在大多数情况下，集成密度的此种提高源自于最小特征大小的连续缩减，此使得能够在给定区域中集成更多组件。

这些较小的电子组件也需要与先前的封装相比占据较小区域的较小的封装。半导体的封装类型的实例包括方形扁平封装(quad flat package，QFP)、管脚网格阵列(pingrid array，PGA)封装、球网格阵列(ball grid array，BGA)封装、覆晶封装(flip chip，FC)、三维集成电路(three-dimensional integrated circuit，3DIC)、晶圆级封装(waferlevel package，WLP)及叠层封装(package on package，PoP)装置等。目前，集成扇出式封装因其致密性(compactness)而变得越来越受欢迎。然而，存在许多与集成扇出式封装相关的挑战。

发明内容

本揭露实施例的一种一种集成扇出式封装包括第一管芯、至少一个集成扇出式穿孔以及模制层。至少一个集成扇出式穿孔位于所述第一管芯旁边且包括晶种层及金属层。模制层包封所述至少一个集成扇出式穿孔及所述第一管芯。所述晶种层环绕所述金属层的侧壁且位于所述金属层与所述模制层之间。

本揭露实施例的一种形成集成扇出式封装的方法包括下列操作。将第一管芯放置在载体上。在所述第一管芯上形成模制层，其中在所述模制层中形成至少一个第一开口且所述第一开口不穿透所述模制层。在所述第一开口的表面上形成晶种材料层及金属材料层。

本揭露实施例的一种形成集成扇出式封装的方法包括下列操作。提供载体，在所述载体上具有管芯贴合膜。将第一管芯放置在所述管芯贴合膜上。在所述第一管芯之上形成模制层，其中在所述模制层中形成至少一个第一开口，且所述第一开口穿透所述模制层并与所述管芯贴合膜实体接触。在所述第一开口的表面上形成晶种材料层及金属材料层。

附图说明

图1A至图1J是一种根据一些实施例形成集成扇出式封装的方法的剖视图。

图2A至图2J是一种根据替代实施例形成集成扇出式封装的方法的剖视图。

[符号的说明]

10：集成扇出式封装

20：集成扇出式封装

100：第一管芯

102：衬底

104：连接件

106：钝化层

107：预模制层

108：模制层/材料层

109：胶材料层

109a：胶层

110：晶种材料层

110a：晶种层

112：金属材料层

112a：金属层

114：重布线层结构

116：凸块

200：第二管芯