[发明专利]有机发光二极管、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201710682462.X | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107611271B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 马洪虎;牛晶华;王湘成;杨闰 | 申请（专利权）人： | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括阳极、阴极、设置于所述阳极和所述阴极之间的至少两个发光层，以及设置于每相邻两个发光层之间的电荷产生层，其中：
所述电荷产生层包括沿远离阴极方向依次设置的第一掺杂层、中间层和第二掺杂层；所述第一掺杂层包括P型半导体材料，所述第二掺杂层包括N型半导体材料；
所述P型半导体材料包括P型有机半导体材料，所述N型半导体材料包括N型有机半导体材料；
所述中间层材料的费米能级大于所述P型有机半导体材料的最高占据轨道能级；
所述中间层材料的费米能级小于所述N型有机半导体材料的最低未占据轨道能级；
所述中间层的材料为金属，所述中间层的材料包括镱元素。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，
所述P型有机半导体材料的最高占据轨道能级为-6.5eV～-5eV；
所述N型有机半导体材料的最低未占据轨道能级为-3.5eV～-1.8eV。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述中间层的厚度为0.5nm～10nm。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂层掺杂的所述P型半导体材料的体积浓度为3％～35％。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二掺杂层掺杂的所述N型半导体材料的体积浓度为3％～45％。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层包括荧光发光层或者磷光发光层。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层的数量为两个或者三个。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的有机发光二极管。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。
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H01L51-52 ..器件的零部件
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