[发明专利]NOR型闪存的擦除方法及装置有效

专利信息
申请号: 201710681520.7 申请日: 2017-08-10
公开(公告)号: CN109390016B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 张赛;刘晓庆 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14;G11C16/34
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: nor 闪存 擦除 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种NOR型闪存的擦除方法,其特征在于,包括:

对存储单元进行过擦除验证;

对未通过所述过擦除验证的存储单元进行至少一次编程操作,并记录所述编程操作的次数;

对所述进行至少一次编程操作且通过所述过擦除验证的存储单元进行擦除验证;

根据所述编程操作的次数确定擦除脉冲信号,根据所述擦除脉冲信号,指示增加或减少进行擦除操作的预设擦除时间,并对未通过所述擦除验证的存储单元进行所述擦除操作;

所述根据所述编程操作的次数确定擦除脉冲信号,根据所述擦除脉冲信号,指示增加或减少进行擦除操作的预设擦除时间具体包括:

若所述编程操作的次数大于预设编程操作的次数,选择并发送第一擦除脉冲信号,根据所述第一擦除脉冲信号减少所述预设擦除时间,生成第一擦除时间;

若所述编程操作的次数小于所述预设编程操作的次数,选择并发送第二擦除脉冲信号,根据所述第二擦除脉冲信号,增加所述预设擦除时间,生成第二擦除时间。

2.根据权利要求1所述的擦除方法,其特征在于,

所述过擦除验证具体包括:读取所述存储单元的阈值电压,若所述存储单元的阈值电压小于过擦除状态的阈值电压,所述存储单元未通过所述过擦除验证;若所述存储单元的阈值电压大于或等于过擦除状态的阈值电压,所述存储单元通过所述过擦除验证。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述擦除验证具体包括:读取所述存储单元的阈值电压,若所述存储单元的阈值电压大于擦除状态的阈值电压,所述存储单元未通过所述擦除验证。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

在所述擦除操作之后还包括所述过擦除验证。

5.一种NOR型闪存的擦除装置,其特征在于,包括:

过擦除验证模块,所述过擦除验证模块用于对存储单元进行过擦除验证;

编程模块,所述编程模块与所述过擦除验证模块相连,用于对未通过所述过擦除验证的存储单元进行至少一次编程操作;

时间控制器,所述时间控制器与所述编程模块相连,用于记录所述编程操作的次数,并根据所述编程操作的次数确定擦除脉冲信号;

擦除验证模块,所述过擦除验证模块相连,用于对所述进行至少一次编程操作且通过所述过擦除验证的存储单元进行擦除验证;

擦除模块,所述擦除模块与所述时间控制器相连,用于根据所述擦除脉冲信号,指示增加或减少进行擦除操作的预设擦除时间,并对未通过所述擦除验证的存储单元进行所述擦除;

所述时间控制器具体用于若所述编程操作的次数大于预设编程操作的次数,选择并向所述擦除模块发送第一擦除脉冲信号;所述擦除模块具体用于根据所述第一擦除脉冲信号减少所述预设擦除时间,生成第一擦除时间;

所述时间控制器具体用于若所述编程操作的次数小于所述预设编程操作的次数,选择并向所述擦除模块发送第二擦除脉冲信号;所述擦除模块具体用于根据所述第二擦除脉冲信号,增加所述预设擦除时间,生成第二擦除时间。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,

所述过擦除验证模块具体用于读取所述存储单元的阈值电压,若所述存储单元的阈值电压小于过擦除状态的阈值电压,所述存储单元未通过所述过擦除验证;若所述存储单元的阈值电压大于或等于过擦除状态的阈值电压,所述存储单元通过所述过擦除验证。

7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,

所述擦除验证模块具体用于读取所述存储单元的阈值电压,若所述存储单元的阈值电压大于擦除状态的阈值电压,所述存储单元未通过所述擦除验证。

8.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,

所述擦除模块与所述过擦除验证模块相连,所述过擦除验证模块还用于对所述擦除操作之后的存储单元进行所述过擦除验证。

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