[发明专利]包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途

权利要求书

1.厚膜糊料组合物，该厚膜糊料组合物用于形成制品中的电极，所述制品包括半导体基底，在所述半导体基体上具有一个或多个绝缘层，所述电极与所述一个或多个绝缘层接触并与所述半导体基底电接触，所述厚膜糊料组合物包含：

a)基于所述组合物中的总固体计从大于95重量％至等于或小于99.5重量％的导电金属；

b)基于固体计0.5-15重量％的铅-碲-氧化物，其中所述铅-碲-氧化物包含5摩尔％至小于30摩尔％的铅氧化物和15-70摩尔％的碲氧化物；

其中以所述组合物中的总固体计，所有固体的组分的总量之和为100％；和

c)有机介质；

所述厚膜糊料组合物当焙烧时能透过所述一个或多个绝缘层。

2.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述导电金属包括银。

3.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述有机介质包括聚合物。

4.根据权利要求3所述的厚膜糊料组合物，其中所述有机介质还包括选自以下的一种或多种添加剂：溶剂、稳定剂、表面活性剂和增稠剂。

5.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述铅-碲-氧化物为至少部分结晶的。

6.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，还包含选自以下的添加剂：TiO₂、LiO₂、B₂O₃、PbF₂、SiO₂、Na₂O、K₂O、Rb₂O、Cs₂O、Al₂O₃、MgO、CaO、SrO、BaO、V₂O₅、ZrO₂、MoO₃、Mn₂O₃、Ag₂O、ZnO、Ga₂O₃、GeO₂、In₂O₃、SnO₂、Sb₂O₃、Bi₂O₃、BiF₃、P₂O₅、CuO、NiO、Cr₂O₃、Fe₂O₃、CoO、Co₂O₃和CeO₂。

7.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述铅-碲氧化物还包含一种或多种选自以下的元素：Si、Sn、Li、Ti、Ag、Na、K、Rb、Cs、Ge、Ga、In、Ni、Zn、Ca、Mg、Sr、Ba、Se、Mo、W、Y、As、La、Nd、Co、Pr、Gd、Sm、Dy、Eu、Ho、Yb、Lu、Bi、Ta、V、Fe、Hf、Cr、Cd、Sb、Bi、F、Zr、Mn、P、Cu、Ce和Nb。

8.根据权利要求1所述的厚膜糊料组合物，其中所述铅-碲-氧化物包含5摩尔％至小于30摩尔％的铅氧化物和35-70摩尔％的碲氧化物。