[发明专利]一种SMD石英晶体谐振器加工方法及其谐振器有效
| 申请号: | 201710680528.1 | 申请日: | 2017-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN107517043B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
| 发明(设计)人: | 黄屹;李斌 | 申请(专利权)人: | 四川明德亨电子科技有限公司;烟台明德亨电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/05 | 分类号: | H03H9/05;H03H9/10;H03H9/19;H03H3/02 |
| 代理公司: | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人: | 蒲笃贤 |
| 地址: | 646300 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 smd 石英 晶体 谐振器 加工 方法 及其 | ||
1.一种SMD石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于,首先提供整板谐振器半成品,所述整板谐振器半成品包括基座整板、固定在各基座上的晶片及盖在基座整板上的盖板整板;然后切割整板谐振器上的盖板整板,形成单个基座盖板,再在各基座盖板上表面及切断面上喷涂保护层,形成整板谐振器;最后将整板谐振器检测、分割,形成单颗SMD石英晶体谐振器;
喷涂保护层的具体方法包括:前处理工艺和喷涂工艺;
所述前处理工艺包括:
首先,用清洗液清洗已切割整板盖板后的谐振器整板,所述清洗液采用有机酸洗剂;然后,经若干道纯水冲洗,去除清洗液及谐振器整板上的异物;接着,对谐振器整板风淋,吹去残留的纯水;最后,将谐振器整板烘干;
所述喷涂工艺包括以下步骤:
首先,采用静电喷涂工艺将喷涂材料喷涂在谐振器整板的各基座盖板的上表面及切断面上,形成涂层,所述喷涂材料为粉末材料或液体材料,然后,将涂层固化处理,在各基座盖板上表面及切断面处形成保护层。
2.根据权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于,所述粉末材料为树脂粉末,所述液体材料为陶瓷涂料、紫外线胶或清漆。
3.根据权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于,所述喷涂工艺中的涂层固化处理,采用烘烤或光照的方式,所述烘烤方式采用红外线烘烤或热循环风烘箱烘烤。
4.根据权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于,所述检测指在基座整板上对各个相连接的石英晶体谐振器进行性能测试,标注出不良品。
5.根据权利要求1-4任一项所述的SMD石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于,加工所述整板谐振器半成品的具体加工步骤包括:
1)、提供或加工基座整板
在基座整板上加工制作矩阵排列的基座,所述基座的背面设有四个电极,正面设有环形金属涂层,环内左侧设有点胶平台A和B、右侧设有支撑平台,各基座间相互连接,相邻四个所述基座交汇点处设有贯通孔;
2)、加工盖板整板
按照基座整板的尺寸、结构加工盖板整板,在盖板整板上形成与基座整板上各基座相同矩阵形状的若干个基座盖板,相邻基座盖板之间通过金属连接线相连接;
3)、加工整板谐振件
首先将晶片进行排片、清洗、镀膜;将镀膜后的晶片放入基座整板上各基座内,进行点胶、固化,进一步对基座整板上各谐振件刻蚀微调,形成整板谐振件;
4)、封装基座整板和盖板整板,形成谐振器整板
去除各基座之间的电连接后,将盖板整板覆盖于谐振件整板上,使盖板整板的各盖板周边搭载在所对应的各谐振件的环形金属化镀层上,经激光加工密封为谐振器,形成整板谐振器半成品。
6.根据权利要求5所述的一种SMD石英晶体谐振器结构,其特征在于,所述基座整板的制备步骤如下:
a)、制备或提供陶瓷基板,基座整板采用两层陶瓷基板,分别为上层陶瓷基板和下层陶瓷基板;
b)、冲孔,冲通孔和贯通孔,在上下对齐的上层陶瓷基板和下层陶瓷基板上冲呈矩阵排列的贯通孔,形成若干个呈矩阵排列的基座,所述贯通孔包括设置上层陶瓷基板上的上部贯通孔和设置在下层陶瓷基板上的下部贯通孔;
所述通孔包括第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔,其中第一通孔和第三通孔在对角位置,第二通孔和第四通孔在对角位置;
c)、对下部贯通孔进行金属化处理,使其内壁附着金属涂层,并在金属涂层与相邻电极之间印刷金属线,相邻基座间的电极通过所述金属涂层及所述金属线导通;
d)、金属化印刷,在上层陶瓷基板和下层陶瓷基板进行金属化印刷,包括环形金属涂层、电极、点胶平台A及B的金属层和支撑平台的印刷,使电极与点胶平台A及B及环形金属涂层导通连接;
e)压层,在上层基座整板和下层基座整板之间印刷接着剂,使上层陶瓷基板和下层陶瓷基板叠压在一起,形成基座整板;
f)、划裂板线,在基座整板的正面和背面均切割呈矩阵排列的裂板线,所述裂板线通过贯通孔的圆心;
g)烧结基座整板;
h)在第二金属层上镀镍层和金层。
7.根据权利要求6所述的整板SMD石英晶体谐振器的加工方法,其特征在于,在步骤4)中,去除各基座之间的导通连接,具体方式为切断电极与所述金属涂层之间的金属线,以达到去除各基座之间的导通连接的目的。
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