[发明专利]规整排布的荧光标记DNA‑金纳米阵列的制备方法在审
申请号: | 201710679884.1 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN107632148A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 何丹农;叶恺;王萍;金彩虹 | 申请(专利权)人: | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | G01N33/533 | 分类号: | G01N33/533 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司31208 | 代理人: | 董梅 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 规整 排布 荧光 标记 dna 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列的制备方法,其特征在于:以嵌段共聚物PS-b-P2VP、三水合氯金酸以及一端修饰巯基、一端修饰荧光分子的DNA单链为原料,首先,以苯乙烯与2-乙烯基吡啶的嵌段共聚物(PS-b-P2VP)作为模板,制备分散均匀的包载氯金酸(HAuCl4)的两亲性胶束,所述的PS-b-P2VP的分子量为30000~300000;然后,通过纳米涂层制备,在基底表面形成规整排布的金纳米颗粒的六方点阵;最后,利用金与巯基的化学反应,形成荧光标记的DNA-金纳米阵列。
2.根据权利要求1所述规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列的制备方法,包括以下步骤:
(1) 负载氯金酸的嵌段共聚物胶束的制备
所有玻璃器皿均使用体积比为3:1人浓硫酸与双氧水的混合液彻底清洗,并用超纯水漂洗干净,称取一定量的PS-b-P2VP,加入20 mL无水甲苯,在室温下进行避光磁力搅拌24 h,形成澄清透明的胶束溶液,在干燥环境中,向胶束溶液中加入一定量的三水合氯金酸(HAuCl4·3H2O),继续避光搅拌24 h,得到胶束内核负载有氯金酸的两亲性胶束溶液a;
(2) 均匀的金纳米涂层的制备
利用浸渍提拉镀膜机制备玻片表面的金纳米涂层,首先将仪器参数设定好,将清洗干净并充分吹干的玻片以一定的速度匀速下降浸入溶液中,再以一定的速度进行匀速上升提拉操作,玻片表面即涂覆上均匀的胶束单分子层,待甲苯挥发完全后,胶束会发生自组装,形成规整的六方点阵,进一步对涂层进行等离子体处理,将嵌段共聚物去除,并将氯金酸还原为单质金,得到均匀排列的金纳米阵列b;
(3) 荧光修饰的DNA-金纳米阵列的制备
将一端修饰巯基、一端修饰荧光分子的DNA单链配制成1 mL 100 μM的溶液,将金纳米阵列的玻片样品浸泡其中,避光静置30 min;再向其中加入50 mL 10 mM PBS,避光浸泡30 min;继续向其中加入1 mg/mL PEG溶液,避光静置30 min。如此即可得到荧光修饰的DNA-金纳米阵列c。
3.根据权利要求1或2所述规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列的制备方法,其特征在于所述的PS-b-P2VP的浓度为3~7 mg/mL。
4.根据权利要求2所述规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列的制备方法,其特征在于所述的三水合氯金酸与2-乙烯基吡啶单元的摩尔比为0.3~0.7。
5.根据权利要求2所述规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列的制备方法,其特征在于在涂层制备时,玻片匀速上升的提拉速度为0.2~0.5 mm/s。
6.根据权利要求2所述规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列的制备方法,其特征在于所述的DNA修饰的荧光分子为异硫氰酸荧光素(FITC)、四甲基异硫氰酸罗丹明(TRITC)、Cy3、Cy5、Cy5.5中的一种。
7.一种根据权利要求1-6任一所述制备方法得到的规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列产物。
8.根据权利要求7所述规整排布的荧光标记DNA-金纳米阵列的应用。
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