[发明专利]雪崩探测器在审

专利信息
申请号: 201710679747.8 申请日: 2017-08-10
公开(公告)号: CN109390301A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 王莹;余涛;陆建鑫 申请(专利权)人: 中兴光电子技术有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/535;H01L25/16
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张京波;曲鹏
地址: 210000 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 跨阻放大器 底座 电容 电连接 芯片 衬底 雪崩探测器 直通线路 管脚 管壳 电磁兼容性 打线连接 互联线路 聚光透镜 打线 贴片 互通 保证
【权利要求书】:

1.一种雪崩探测器,其特征在于,包括:

底座,其上设置有管脚;

安装在所述底座上的芯片、跨阻放大器和电容,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容相互电连接,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均与所述底座电连接,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均与所述管脚打线连接;

具有直通线路和互联线路的衬底,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容中的至少两个通过所述衬底间接安装在所述底座上,且在所述衬底上通过所述直通线路与所述底座电连接、通过所述互通线路相互电连接;

管壳,盖装在所述底座上;和

聚光透镜,安装在所述管壳上。

2.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容通过三组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容通过所述互通线路相互电连接。

3.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述芯片和所述跨阻放大器均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述芯片和所述跨阻放大器通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述芯片和所述跨阻放大器通过所述互通线路相互电连接,所述电容与所述芯片打线连接、所述电容与所述跨阻放大器打线连接。

4.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述芯片和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述芯片和所述电容通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述芯片和所述电容通过所述互通线路相互电连接,所述跨阻放大器与所述芯片打线连接、所述跨阻放大器与所述电容打线连接。

5.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述跨阻放大器和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述跨阻放大器和所述电容通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述跨阻放大器和所述电容通过所述互通线路相互电连接,所述芯片与所述跨阻放大器打线连接、所述芯片与所述电容打线连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的雪崩探测器,其特征在于,所述衬底为硅基衬底,所述电容为硅基电容或陶瓷电容。

7.根据权利要求6所述的雪崩探测器,其特征在于,所述互联线路位于所述硅基衬底的内部。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的雪崩探测器,其特征在于,所述底座为镀金镀镍底座。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的雪崩探测器,其特征在于,所述聚光透镜为球透镜。

10.根据权利要求9所述的雪崩探测器,其特征在于,所述球透镜上设置有增透膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴光电子技术有限公司,未经中兴光电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710679747.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top