[发明专利]雪崩探测器在审
| 申请号: | 201710679747.8 | 申请日: | 2017-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN109390301A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
| 发明(设计)人: | 王莹;余涛;陆建鑫 | 申请(专利权)人: | 中兴光电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/535;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
| 地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 跨阻放大器 底座 电容 电连接 芯片 衬底 雪崩探测器 直通线路 管脚 管壳 电磁兼容性 打线连接 互联线路 聚光透镜 打线 贴片 互通 保证 | ||
1.一种雪崩探测器,其特征在于,包括:
底座,其上设置有管脚;
安装在所述底座上的芯片、跨阻放大器和电容,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容相互电连接,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均与所述底座电连接,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均与所述管脚打线连接;
具有直通线路和互联线路的衬底,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容中的至少两个通过所述衬底间接安装在所述底座上,且在所述衬底上通过所述直通线路与所述底座电连接、通过所述互通线路相互电连接;
管壳,盖装在所述底座上;和
聚光透镜,安装在所述管壳上。
2.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容通过三组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述芯片、所述跨阻放大器和所述电容通过所述互通线路相互电连接。
3.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述芯片和所述跨阻放大器均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述芯片和所述跨阻放大器通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述芯片和所述跨阻放大器通过所述互通线路相互电连接,所述电容与所述芯片打线连接、所述电容与所述跨阻放大器打线连接。
4.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述芯片和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述芯片和所述电容通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述芯片和所述电容通过所述互通线路相互电连接,所述跨阻放大器与所述芯片打线连接、所述跨阻放大器与所述电容打线连接。
5.根据权利要求1所述的雪崩探测器,其特征在于,所述跨阻放大器和所述电容均通过所述衬底间接安装在所述底座上,且所述跨阻放大器和所述电容通过两组相互独立的所述直通线路与所述底座电连接,所述跨阻放大器和所述电容通过所述互通线路相互电连接,所述芯片与所述跨阻放大器打线连接、所述芯片与所述电容打线连接。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的雪崩探测器,其特征在于,所述衬底为硅基衬底,所述电容为硅基电容或陶瓷电容。
7.根据权利要求6所述的雪崩探测器,其特征在于,所述互联线路位于所述硅基衬底的内部。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的雪崩探测器,其特征在于,所述底座为镀金镀镍底座。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的雪崩探测器,其特征在于,所述聚光透镜为球透镜。
10.根据权利要求9所述的雪崩探测器,其特征在于,所述球透镜上设置有增透膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴光电子技术有限公司,未经中兴光电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710679747.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:半导体结构及其制造方法





