[发明专利]有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用有效
| 申请号： | 201710678994.6 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107501269B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周印华;胡林;蒋友宇;刘铁峰;覃飞;熊思醒 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | C07D487/04 | 分类号： | C07D487/04;C07D233/56;C07C259/14;C07C257/12;C07C257/14;C07C257/18;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 分子 掺杂 及其 半导体 光电 器件 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机脒分子n型掺杂剂在半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述n型掺杂剂与受体材料混合或者直接将受体材料暴露在n型掺杂剂的蒸汽气氛中，实现对受体材料的n掺杂后，应用于半导体光电器件，所述半导体光电器件为钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池、有机发光二极管和有机场效应晶体管，所述n型掺杂剂为DBU。
2.如权利要求1所述的有机脒分子n型掺杂剂在半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述受体材料为PC61BM、N2200或者ITIC。
3.如权利要求1或2所述的一种有机脒分子n型掺杂剂在半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池的器件结构为：ITO导电玻璃作为电池负极，NiOx作为电池空穴传输层，MAPbI3为钙钛矿吸光层，n型掺杂剂对受体材料进行n掺杂后作为电池电子传输层，金属Ag作为电池正极。
4.如权利要求1或2所述的一种有机脒分子n型掺杂剂在半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述有机场效应晶体管的器件结构为：SiO2为绝缘层，n型掺杂剂对受体材料进行n掺杂后作为n型半导体层，顶部电极Au作为源漏极。
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