[发明专利]灵敏放大器电路

说明书

本发明提供了一种灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路连接一存储器电路的位线单元，所述灵敏放大器电路包括钳位单元、预充电单元、电流镜单元和比较单元，其中：所述预充电单元为所述钳位单元充电以使所述钳位单元形成位线电流；所述电流镜单元提供一参考电流；所述位线电流与所述参考电流相比较形成数据点电压；所述数据点电压输入到所述比较单元中，与一参考电压比较，以使所述比较单元输出数据读取结果；所述钳位单元包括晶体管模块、反相器模块和模式转换模块；所述模式转换模块根据电源电压的幅值控制所述晶体管模块和所述反相器模块的导通情况，以控制所述位线电流的形成速度，实现了低电压慢速读取和高电压快速读取之间转换。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种灵敏放大器电路。

背景技术

灵敏放大器感应位线上的小信号变化并通过放大所述小信号变化来得到存储单元上储存的数据。在感应位线上的小信号变化前，灵敏放大器的钳位单元会将位线电压调整至固定值，以使位线电压尽快稳定，进而可在读取时感应到稳定的位线电流。

存储器的低功耗设计在银行卡，微处理器等领域受到青睐，其中可以通过降低电源电压来降低系统功耗，但电源电压的降低会导致读取速度的降低，灵敏放大器电路作为存储器的一个重要组成部分，直接影响存储器的读取速度。在一些情况下，需要低电压慢速读取和高电压快速读取的灵活转换，既能有效降低系统对功耗的要求，又可以保证读取速度。

因此，需要设计一种可以在低电压慢速读取和高电压快速读取之间转换的灵敏放大器电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种灵敏放大器电路，以实现在低电压慢速读取和高电压快速读取之间转换。

为解决上述技术问题，本发明提供一种灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路连接一存储器电路的位线单元，所述灵敏放大器电路包括钳位单元、预充电单元、电流镜单元和比较单元，其中：

所述预充电单元为所述钳位单元充电以使所述钳位单元形成位线电流；

所述电流镜单元提供一参考电流；

所述位线电流与所述参考电流相比较形成数据点电压；所述数据点电压输入到所述比较单元中，与一参考电压比较，以使所述比较单元输出数据读取结果；

所述钳位单元包括晶体管模块、反相器模块和模式转换模块；所述模式转换模块根据电源电压的幅值控制所述晶体管模块和所述反相器模块的导通情况，以控制所述位线电流的形成速度。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述晶体管模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极连接所述预充电单元和所述电流镜单元，所述第一晶体管和所述第二晶体管的源极连接所述模式转换模块，所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极连接所述反相器模块的输出端。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述模式转换模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管的源极；所述第三晶体管的源极连接所述第二晶体管的源极、所述反相器模块的输入端和所述位线单元，所述第三晶体管的栅极电压与电源电压相关联。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述第一晶体管为零阈值N型场效应管，所述第二晶体管和所述第三晶体管为N型场效应管。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述反相器模块包括第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，其中：

所述第四晶体管的栅极电压与电源电压相关联，所述第二晶体管的源极连接电源；

所述第五晶体管的栅极连接所述第三晶体管的源极，所述第五晶体管的源极接地；

所述第六晶体管的栅极连接所述第三晶体管的源极，所述第六晶体管的源极连接电源；