[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

本文中提供了存储装置和操作该存储装置的方法。该存储装置可以包括：存储块，该存储块包括多个页；以及外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程。该存储装置可以包括控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及存储装置和操作该存储装置的方法，并且更具体地，涉及一种存储装置的编程操作。

背景技术

存储装置被分类成易失性存储装置和非易失性存储装置。

非易失性存储装置即使在电源中断时也能够保留其内容。虽然非易失性存储装置的读写速度与易失性存储装置的读写速度相比相对低，但是非易失性存储装置广泛用于便携式电子装置，这是因为它无论是否与电源连接都保留其内容。

非易失性存储装置的示例可以根据数据存储方案包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电式RAM(FRAM)。

闪速存储器可具有串水平地布置在半导体基板上的二维(2D)结构。另选地，闪速存储器可以具有串垂直地层叠在半导体基板上的三维(3D)结构。随着二维(2D)结构到达其物理比例极限，半导体制造商正在制造包括垂直地层堆在半导体基板上的存储单元的存储装置。

发明内容

本公开的各种实施方式针对一种存储装置和操作该存储装置的方法，其能够提高存储装置的编程操作的可靠性。

本公开的实施方式可以提供一种存储装置。该存储装置可以包括：存储块，该存储块包括多个页；外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。

本公开的实施方式可以提供一种操作存储装置的方法。该方法可以包括以下步骤：向与被选页联接的字线施加编程电压；向除了所述被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的全部或一些页施加第一通过电压；以及向所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页施加比所述第一通过电压低的第二通过电压。

该方法可以包括以下步骤：设置参考页；确定被选页是否已经到达所述参考页；在所述被选页到达所述参考页之前，向与尚未执行编程操作的未选页联接的字线施加第三通过电压，向与已经执行所述编程操作的未选页联接的字线施加所述第三通过电压或者比所述第三通过电压低的第四通过电压，并且向与所述被选页联接的字线施加编程电压；以及在所述被选页到达所述参考页之后，向与尚未执行编程操作的未选页联接的字线施加所述第三通过电压并且向与已经执行所述编程操作的未选页联接的字线施加比所述第三通过电压高的第五通过电压，并且向与所述被选页联接的所述字线施加所述编程电压。

附图说明

图1是用于说明根据本公开的实施方式的存储系统的示图。

图2是用于说明图1的存储装置的示图。

图3是用于说明图2的存储块的示图。

图4是用于说明根据本公开的实施方式的编程操作的流程图。

图5是用于详细说明图4的编程操作的流程图。

图6、图7、图8和图9是用于说明图5的编程操作的示例的示图。

图10是用于说明根据本公开的实施方式的编程操作的流程图。