[发明专利]高密度斯格明子薄膜材料有效
| 申请号： | 201710673605.0 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109390463B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张颖;何敏;李刚;蔡建旺;谷林;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;张磊 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 明子 薄膜 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种高密度斯格明子薄膜材料，其特征在于，包括依次堆叠的第一重金属薄膜、Co层和第二重金属薄膜，所述第一重金属和第二重金属为Pt、Ta、W、Pd、Ph、Ir、Pb和Au中的任意两种不同重金属，所述Co层在平行和垂直于其膜面方向上都具有磁矩分量，所述Co层的厚度与其自旋重取向转变区临界厚度的比值大于1且不大于1.2，其中所述Co层的自旋重取向转变区临界厚度为所述Co层的有效垂直磁各向异性为零时的厚度。
2.根据权利要求1所述的高密度斯格明子薄膜材料，其特征在于，所述Co层的厚度与其自旋重取向转变区临界厚度的比值大于1且不大于1.13。
3.根据权利要求1所述的高密度斯格明子薄膜材料，其特征在于，所述Co层的厚度为1.95～2.2纳米。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的高密度斯格明子薄膜材料，其特征在于，所述薄膜材料为Pt/Co/Ta。
5.一种磁存储材料，其特征在于，由以权利要求1至4中任一项所述的高密度斯格明子薄膜材料为重复单元生长形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710673605.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
