[发明专利]光电子器件和用于其制造的方法

权利要求书

1.一种光电子器件，所述光电子器件具有层结构，所述层结构具有光有源层，其中

-所述光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷的密度，

-所述V型缺陷构成用于将载流子注入到所述光有源层中，

-在俯视图中，所述V型缺陷中的至少一些V型缺陷具有由六边形或十二边形给出的轮廓，

-所述V型缺陷中的具有由六边形或十二边形给出的轮廓的至少一些V型缺陷设置在栅格的栅格节点处，

-所述第二横向区域的每个点沿横向方向远离所述第一横向区域中的V型缺陷不超过规定值，其中所述规定值在0.2μm和10μm之间。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，

其中所述栅格是矩形栅格、六边形栅格或三角形栅格。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，

其中所述栅格在所述第一横向区域中存在。

4.根据权利要求1或2所述的光电子器件，

其中所述V型缺陷在所述层结构的横向方向上分布成，使得所述光有源层的每个横向部段在横向方向上最多与V型缺陷具有下述最大间距，所述最大间距对应于载流子扩散长度。

5.根据权利要求4所述的光电子器件，

其中所述最大间距对应于空穴扩散长度。

6.根据权利要求4所述的光电子器件，

其中所述层结构的所述光有源层的至少一些横向部段能够用通过V型缺陷注入的载流子供应。

7.根据权利要求4所述的光电子器件，

其中所述层结构的所述光有源层的每个横向部段能够用通过V型缺陷注入的载流子供应。

8.根据权利要求1或2所述的光电子器件，

其中V型缺陷的密度沿着预定的横向方向改变。

9.一种用于制造光电子器件的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供衬底；

-将层结构生长到所述衬底上，其中

-所述层结构包括光有源层，

-将V型缺陷嵌入到所述光有源层中，

-在所述光有源层的第一横向区域中与在所述光有源层的第二横向区域中相比在每横向单位面积嵌入更多的V型缺陷，

-所述V型缺陷构成用于将载流子注入到所述光有源层中，并且

-在俯视图中，所述V型缺陷中的至少一些V型缺陷具有由六边形或十二边形给出的轮廓，

-所述V型缺陷中的具有由六边形或十二边形给出的轮廓的至少一些V型缺陷设置在栅格的栅格节点处，

-所述第二横向区域的每个点沿横向方向远离所述第一横向区域中的V型缺陷不超过规定值，其中所述规定值在0.2μm和10μm之间。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中在生长所述光有源层之前安置掩模层，所述掩模层在所述第一横向区域中具有开口。

11.根据权利要求9或10所述的方法，

其中将隆起部安置在所述衬底的表面上，并且

其中将隆起部在所述第一横向区域中安置在所述衬底的表面上。

12.根据权利要求9或10所述的方法，

其中借助MOVPE执行生长，并且，其中在生长期间如下地调整至少一个生长条件：

-生长温度至多为950℃，

-生长压强至少为10mbar。