[发明专利]抗蚀剂材料和图案形成方法

说明书

本发明涉及抗蚀剂材料和图案形成方法。本发明提供在正型抗蚀剂材料和负型抗蚀剂材料中都为高灵敏度且LWR、CDU小的抗蚀剂材料以及使用其的图案形成方法。抗蚀剂材料，其包含基础聚合物和产酸剂，该产酸剂包含由下述式(1‑1)表示的锍盐或者由下述式(1‑2)表示的碘鎓盐。

技术领域

本发明涉及抗蚀剂材料和使用其的图案形成方法，该抗蚀剂材料包含产酸剂，该产酸剂包含含有碘代苯氧基或碘代苯基烷氧基的氟代磺酸的锍盐或碘鎓盐。

背景技术

随着LSI的高集成化和高速度化，图案尺寸的微细化在急速地发展。特别地，闪存市场的扩大和存储容量的增大化推动着微细化。作为最先进的微细化技术，已进行采用ArF光刻的65nm节点的器件的批量生产，采用下一代的ArF浸液光刻的45nm节点的批量生产准备在进行中。作为下一代的32nm节点，将与水相比折射率高的液体与高折射率透镜、高折射率抗蚀剂材料组合的采用超高NA透镜的浸液光刻、波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻、ArF光刻的双重曝光(双重图案化光刻)等是候补，进行了研究。

随着微细化发展而接近光的衍射极限，光的对比度降低。由于光的对比度的降低，在正型抗蚀剂膜中，产生孔图案、沟槽图案的分辨率、焦点裕度的降低。

随着图案的微细化，线图案的边缘粗糙度(LWR)和孔图案的尺寸均一性(CDU)被视为问题。指出了基础聚合物、产酸剂的不均匀、凝聚的影响、酸扩散的影响。进而，存在随着抗蚀剂膜的薄膜化而LWR变大的倾向，与微细化的发展相伴的薄膜化所引起的LWR的劣化成为了严重的问题。

在EUV抗蚀剂中，需要同时实现高灵敏度、高分辨率化和低LWR化。如果使酸扩散距离变短，则LWR变小，但灵敏度低。例如，通过降低曝光后烘焙(PEB)温度，LWR变小，但灵敏度低。即使增加猝灭剂的添加量，LWR也变小，但灵敏度低。需要打破灵敏度与LWR的折中关系。

发明内容

发明要解决的课题

在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂中，希望开发高灵敏度且可以减小LWR、孔图案的CDU的产酸剂。

本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供在正型抗蚀剂材料和负型抗蚀剂材料中都为高灵敏度且LWR、CDU小的抗蚀剂材料和使用其的图案形成方法。

用于解决课题的手段

本发明人为了实现上述目的反复深入研究，结果发现：通过使用规定的含有碘代苯氧基或碘代苯基烷氧基的氟代磺酸的锍盐或碘鎓盐作为产酸剂，从而能够得到LWR和CDU小、对比度高、分辨率优异、工艺余裕宽的抗蚀剂材料，完成了本发明。

即，本发明提供下述抗蚀剂材料和图案形成方法。

1.抗蚀剂材料，包含基础聚合物和产酸剂，该产酸剂包含由下述式(1-1)表示的锍盐或由下述式(1-2)表示的碘鎓盐。

【化1】