[发明专利]金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种金属膜镀制方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基板；

在所述基板上镀制形成第一金属膜层；

暂停预定时间之后，在所述第一金属膜层上镀制形成第二金属膜层；其中，所述第一金属膜层的镀制材料与所述第二金属膜层的镀制材料相同。

2.根据权利要求1所述的金属膜镀制方法，其特征在于，所述预定时间为10秒至20秒。

3.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基板：

在所述基板上形成第一栅极金属层；

暂停预定时间之后，在所述第一栅极金属层上制作形成第二栅极金属层；

对所述第二栅极金属层和所述第一栅极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成栅极；

在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极相对的有源层；

在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述“在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极”的方法包括步骤：

在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成第一源漏极金属层；

暂停预定时间之后，在所述第一源漏极金属层上形成第二源漏极金属层；

对所述第一源漏极金属层和所述第二源漏极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述源极和所述漏极。

5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述预定时间为10秒至20秒。

6.一种由权利要求3至5任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基板：

在所述基板上形成第一栅极金属层；

暂停预定时间之后，在所述第一栅极金属层上制作形成第二栅极金属层；

对所述第二栅极金属层和所述第一栅极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成栅极；

在所述基板和所述栅极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极相对的有源层；

在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极；

在所述有源层、所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上形成钝化层；

在所述钝化层中形成暴露所述漏极的过孔；

在所述钝化层上形成通过所述过孔与所述漏极接触的像素电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成彼此间隔的源极和漏极”的方法包括步骤：

在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成第一源漏极金属层；

暂停预定时间之后，在所述第一源漏极金属层上形成第二源漏极金属层；

对所述第一源漏极金属层和所述第二源漏极金属层进行曝光、显影及刻蚀处理，以形成所述源极和所述漏极。

9.根据权利要求7或8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预定时间为10秒至20秒。

10.一种由权利要求7至9任一项所述的阵列基板的制作方法制作的阵列基板。