[发明专利]一种PECVD镀膜的气体控制方法以及设备

权利要求书

1.一种PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将硅烷供气管路、氨气供气管路和笑气供气管路分别连接于PECVD的反应腔，并在每种供气管路上配置有一气体流量控制器；

S2、根据每层待镀的膜层结构设定硅烷、氨气和笑气三种气体的流量参数；

S3、气体流量控制器分别按照所设定的流量参数控制输入对应的气体至PECVD的反应腔中；

步骤S2中所述待镀的膜层结构包括非渐变膜层，所述非渐变膜层包括第一氮氧化硅膜层和第一氮化硅膜层，将所述第一氮化硅膜层沉积在所述第一氮氧化硅膜层之上；

所述第一氮氧化硅膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:5～1:20:10；

所述第一氮化硅膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷与氨气二者的流量比例设置为1:3～1:5；

所述非渐变膜层在生成时，所设定的每种气体的流量参数是固定值；

步骤S2中所述待镀的膜层结构还包括渐变膜层，所述渐变膜层包括第一氮化硅渐变膜层，将所述第一氮化硅渐变膜层沉积在所述第一氮化硅膜层之上；

所述第一氮化硅渐变膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:8～1:20:15；

所述渐变膜层在生成时，所设定的每种气体的流量参数是渐变值，所述渐变值按照特定斜率k呈线性变化，斜率k满足：

K＝(Q1-Q2)/t

其中，Q1表示每层渐变前对应每种气体所需的流量，Q2表示每层渐变后对应每种气体所需的流量，t表示每层渐变过程所需时间。

2.根据权利要求1所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，所述非渐变膜层包括第二氮化硅膜层和第二氮氧化硅膜层，所述渐变膜层包括第二氮化硅渐变膜层，将所述第二氮化硅渐变膜层沉积在所述第二氮化硅膜层之上，将所述第二氮氧化硅膜层沉积在所述第二氮化硅渐变膜层之上；

所述第二氮化硅膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷与氨气二者的流量比例设置为1:3～1:6；

所述第二氮化硅渐变膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:8～1:16:12；

所述第二氮氧化硅膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:8:5～1:12:10。

3.根据权利要求1所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，所述非渐变膜层包括第三氮氧化硅膜层，所述渐变膜层包括第三氮化硅渐变膜层；将所述第三氮氧化硅膜层沉积在所述第三氮化硅渐变膜层之上；

所述第三氮化硅渐变膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:4:5～1:16:20；

所述第三氮氧化硅膜层在生成时，其对应的各种气体的流量参数需满足如下的比例关系：所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:12:10～1:20:18。

4.根据权利要求1所述的PECVD镀膜的气体控制方法，其特征在于，步骤S3中还包括如下步骤：

根据每层待镀的膜层结构设定所需工艺时间，气体流量控制器按照所设定的工艺时间控制输入对应的气体至PECVD的反应腔中。