[发明专利]制造一半导体元件的方法及其系统

权利要求书

1.一种制造一半导体元件的方法，包括：

使用一溶剂以冲洗一晶片，该溶剂含有一碳氟化物材料，其中，该晶片因该溶剂冲洗致增加疏水性；

在以该溶剂冲洗该晶片后，形成一含金属材料在该晶片之上；

进行一次或多次光刻工艺，且至少部分使用该含金属材料；以及

在进行该一次或多次光刻工艺过程中或之后，移除该含金属材料，其中，该晶片疏水性的增加，会促进含金属材料的移除；

该碳氟化物材料具有如下化学式之一：

2.如权利要求1所述的制造一半导体元件的方法，其中，该冲洗包括设置该溶剂对水的接触角。

3.如权利要求2所述的制造一半导体元件的方法，其中，该接触角的设置包括包含一添加物作为该溶剂的部分，该添加物对于水的接触角高于75度。

4.如权利要求1所述的制造一半导体元件的方法，其中，一光致抗蚀剂包含该含金属材料。

5.如权利要求4所述的制造一半导体元件的方法，其中：

该光致抗蚀剂的形成包括涂布一极紫外线光致抗蚀剂；以及

其中该一次或多次光刻工艺的进行包括进行一次或多次极紫外线光刻工艺。

6.如权利要求5所述的制造一半导体元件的方法，其中，该极紫外线光致抗蚀剂的涂布包括涂布该极紫外线光致抗蚀剂，该极紫外线光致抗蚀剂包含：铯、钡、镧、铟、铈、银或锡。

7.如权利要求1所述的制造一半导体元件的方法，其中，进行该含金属材料的移除至少部分使用一洗净液，该洗净液的汉森溶解度参数的delta D在13至25之间，delta P在3至25之间，及delta H在4至30之间。

8.一种制造一半导体元件的方法，包括：

施用一溶剂于一晶片，该溶剂含有碳氟化物，其中，该溶剂的施用增加该晶片的疏水性，且其中该碳氟化物具有选自如下群组的一化学式：

在该溶剂的施用后，形成一含金属光致抗蚀剂层在该晶片之上；

使用一极紫外线光刻工艺图案化该含金属光致抗蚀剂层；以及

移除该含金属光致抗蚀剂层。

9.如权利要求8所述的制造一半导体元件的方法，其中，该碳氟化物对水的接触角高于75度。

10.如权利要求8所述的制造一半导体元件的方法，其中，该含金属光致抗蚀剂层的形成包括涂布一极紫外线光致抗蚀剂，该极紫外线光致抗蚀剂包含：铯、钡、镧、铟、铈、银或锡。

11.如权利要求8所述的制造一半导体元件的方法，其中，进行该含金属光致抗蚀剂层的移除至少部分使用一洗净液，该洗净液的汉森溶解度参数的delta D在13至25之间，delta P在3至25之间，及delta H在4至30之间。

12.一种制造一半导体元件的方法，包括：

通过施用一第一溶剂以增加一晶片的疏水性，其中，该第一溶剂含有一碳氟化物材料，该碳氟化物材料具有如下化学式之一：

在施用该第一溶剂后，涂布一光致抗蚀剂层在该晶片之上，其中，该光致抗蚀剂层是用于极紫外线光刻，并包含：铯、钡、镧、铟、铈、银或锡；

使用一极紫外线光刻工艺以图案化该光致抗蚀剂层；以及

在该极紫外线光刻工艺至少部分进行后，以一第二溶剂洗净该晶片，其中，该晶片疏水性的增加促进该晶片的洗净，且其中该第二溶剂的汉森溶解度参数的delta D在13至25之间，delta P在3至25之间，及delta H在4至30之间。

13.如权利要求12所述的制造一半导体元件的方法，其中，该第二溶剂包含金属钳合剂。