[发明专利]有机发光显示器件及控制方法、显示装置有效
申请号: | 201710660570.7 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN107425043B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 贾文斌;叶志杰;王欣欣;孙力;万想;朱飞飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 器件 控制 方法 显示装置 | ||
本发明公开了有机发光显示器件及控制方法、显示装置。该有机发光显示器件包括:基板;阳极层,所述阳极层设置在所述基板上;发光层,所述发光层设置在所述阳极层远离所述基板的一侧;阴极层,所述阴极层设置在所述发光层远离所述阳极层的一侧;以及电致变色层,所述电致变色层设置在所述阳极层以及所述基板之间,或者所述阴极层远离所述发光层的一侧。由此,可以解决非像素区漏光以及相邻子像素串扰发光的问题,改善器件的显示效果。
技术领域
本发明涉及有机光电领域,具体地,涉及有机发光显示器件及控制方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Lighting-Emitting Diode,OLED)由于其自主发光,轻薄,色域好,功耗低,可做柔性等诸多优点,在显示领域引起了广泛关注。目前OLED技术已逐渐成熟,慢慢走入市场。OLED是利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的二极管。在一定电压驱动下,电子和空穴分别迁移至发光层,并在发光层相遇形成激子,使发光分子激发,受激发的发光分子经过辐射弛豫而发出可见光。
然而,目前的有机发光显示器件及控制方法、显示装置仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的:
目前,大尺寸有机发光显示器件多存在像素边缘非像素区漏光以及相邻子像素串扰发光的问题,进而影响显示器件的显示效果。发明人经过深入研究以及大量实验发现,这主要是由于大尺寸有机发光显示器件的电荷产生层会有一定量的正电荷迁移到非像素区以及相邻子像素区导致的。如前所述,有机发光显示器件在工作时,空穴和电子分别从像素电极和阴极注入,经过有机功能层到发光层复合而发光。目前,大尺寸的OLED面板多采用四像素显示技术,例如WOLED技术。由于WOLED技术采用蓝色加黄色(B+Y)两叠层结构或者蓝色加黄色加蓝色(B+Y+B)三叠层结构来实现显示,因此必须采用电荷产生层,而电荷产生层通常采用活泼金属锂掺杂电子传输层(ETL)作为电子产生层。在像素点亮的情况下,电子和空穴从阴极以及阳极向电荷产生层注入,形成电流,又由于发光层为整层连续的结构,因此,电荷产生层中的锂离子会在电流的驱动下,由像素区的发光层迁移到非像素区的发光层,甚至迁移到相邻子像素的发光层,产生正电荷与阴极的电子复合,使得非像素区漏光以及相邻子像素区串扰发光。当像素长时间点亮时,器件的工作老化,纵向电阻变大逐渐与横向电阻接近,因此电荷产生层(CGL)处,电流会进行横向传输,导致像素边缘及相邻像素漏光,漏光问题会更加严重。此外,对于小尺寸的OLED面板,发明人发现,小尺寸OLED面板为各单色器件,由于单色工艺过程中功能层是共同的,所以也会产生边缘像素漏光的现象。目前针对小尺寸OLED面板边缘像素漏光的问题,虽然可以通过掩膜版对共同的功能层采用UV照射,破坏其有机功能键,使其失去传输空穴以及电子的特性,从而避免漏光,但实际操作工艺难度较大。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种有机发光显示器件。该有机发光显示器件包括:基板;阳极层,所述阳极层设置在所述基板上;发光层,所述发光层设置在所述阳极层远离所述基板的一侧;阴极层,所述阴极层设置在所述发光层远离所述阳极层的一侧;以及电致变色层,所述电致变色层设置在所述阳极层以及所述基板之间,或者所述阴极层远离所述发光层的一侧。由此,可以解决非像素区漏光以及相邻子像素串扰发光的问题,改善器件的显示效果。
根据本发明的实施例,所述发光层包括多个子发光区,所述多个子发光区之间通过界定层间隔开,所述阳极层包括多个第一子电极,所述第一子电极与所述子发光区一一对应设置,所述发光层具有相对设置的第一发光面以及第二发光面,所述第一发光面靠近所述有机发光器件的出光方向,所述第二发光面远离所述有机发光器件的出光方向。阳极电极与发光区一一对应,可以控制不同区域的发光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的