[发明专利]处理被处理体的方法

权利要求书

1.一种处理被处理体的方法，该被处理体包括被蚀刻层、设置在该被蚀刻层上的有机膜和设置在该有机膜上的第1掩模，该有机膜由第1层和第2层构成，该第1掩模设置在该第1层上，该第1层设置在该第2层上，该第2层设置在该被蚀刻层上，该处理被处理体的方法的特征在于，包括：

在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成第1气体的等离子体，使用该等离子体和所述第1掩模对所述第1层进行蚀刻直至所述第2层，在通过该蚀刻而形成的该第1层的侧面共形地形成保护膜的工序；

在所述处理容器内，生成第2气体的等离子体，使用该等离子体除去所述第1掩模的工序；和

在除去所述第1掩模后，将所述第1层和所述保护膜作为第2掩模来对所述第2层进行蚀刻的工序，

除去所述第1掩模的所述工序在执行对所述被蚀刻层进行蚀刻的处理前执行。

2.如权利要求1所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第2气体包含氢氟烃气体、氟碳气体和氯气中的任一气体。

3.如权利要求1或2所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第1气体包含氢气和氮气。

4.如权利要求1或2所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述保护膜是氧化膜。

5.如权利要求1或2所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

共形地形成所述保护膜的所述工序中，在对所述第1层进行蚀刻直至所述第2层后，通过反复执行第1流程，在所述第1层的所述侧面共形地形成所述保护膜，

其中，所述第1流程包括：

向所述处理容器内供给第3气体的工序；

在执行供给所述第3气体的所述工序后，对所述处理容器内的空间进行净化的工序；

在执行对所述空间进行净化的所述工序后，在所述处理容器内生成第4气体的等离子体的工序；和

在执行生成所述第4气体的等离子体的所述工序后，对所述处理容器内的空间进行净化的工序，

供给所述第3气体的所述工序中，不生成该第3气体的等离子体。

6.如权利要求5所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第3气体包含氨基硅烷类气体。

7.如权利要求6所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第3气体包含单氨基硅烷。

8.如权利要求6所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第3气体中包含的氨基硅烷类气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。

9.如权利要求6所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第3气体中包含的氨基硅烷类气体包含具有1～3个氨基的氨基硅烷。

10.如权利要求5所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第4气体包含氧原子。

11.如权利要求10所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第4气体包含二氧化碳气体或者氧气。

12.如权利要求5所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

共形地形成所述保护膜的所述工序还包括以下工序：

在反复执行所述第1流程后，在所述处理容器内生成第5气体的等离子体，使用该等离子体除去通过反复执行该第1流程而形成在所述第2层的表面的膜，

所述第5气体包含氟。

13.如权利要求12所述的处理被处理体的方法，其特征在于：

所述第5气体包含氟碳气体。