[发明专利]用于通用大范围电平移位的装置和方法

权利要求书

1.一种用于将来自第一电压域的第一输入信号转换为针对第二电压域的输出信号的装置，所述装置被配置为在所述第一电压域内或所述第二电压域内操作，所述装置包括：

输入驱动器电路，被配置为基于由所述输入驱动器电路接收的所述第一输入信号和控制信号产生第二输入信号；

选择电路，被配置为基于所述控制信号产生选择信号；

交叉耦合电路，被配置为在中间节点处基于所述第一输入信号、所述第二输入信号和所述选择信号产生电平移位信号，其中，所述交叉耦合电路包括第一对并联晶体管和第二对并联晶体管；以及

输出驱动器电路，被配置为基于所述电平移位信号产生针对所述第二电压域的所述输出信号。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括：放电电路，被配置为基于所述选择信号对所述中间节点进行放电。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述交叉耦合电路还包括：

第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管；

第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一对并联晶体管包括并联耦合的第六PMOS晶体管和第三NMOS晶体管，并且所述第二对并联晶体管包括并联耦合的第七PMOS晶体管和第四NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一对并联晶体管和所述第二对并联晶体管使得能够实现所述交叉耦合电路中的一个或多个PMOS晶体管的栅源电压(Vgs)，其中，所述栅源电压足以使得能够避免所述一个或多个PMOS晶体管的亚稳定状态。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述输入驱动器电路、所述选择电路、所述交叉耦合电路和所述输出驱动器电路均包括厚栅极氧化物TGO晶体管。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，转换所述第一输入信号包括：基于由所述装置接收的所述第一输入信号执行上移操作和下移操作之一。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，当执行所述上移操作时，所述第一输入信号的所述第一电压域的电压小于所述第二电压域的电压。

9.根据权利要求7所述的装置，其中，当执行所述下移操作时，所述第一输入信号的所述第一电压域的电压大于所述第二电压域的电压。

10.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述选择电路包括第一反相器，所述第一反相器的输出端耦合到所述交叉耦合电路并且所述第一反相器的输入端用于接收所述控制信号；

所述输入驱动器电路包括第二反相器，所述第二反相器的输出端耦合到所述交叉耦合电路并且所述第二反相器的输入端用于接收所述第一输入信号；以及

所述输出驱动器包括：

第三反相器，所述第三反相器的输入端耦合到所述交叉耦合电路以接收所述电平移位信号；以及

第四反相器，所述第四反相器的输入端耦合到所述第三反相器并且所述第四反相器的输出端用于提供针对所述第二电压域的所述输出信号，其中，所述第四反相器的输入端接收中间移位信号。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置与转换范围相关联，所述转换范围包括近似等于0.8伏和3.5伏的电压以及位于0.8伏和3.5伏之间的电压。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置是工艺技术的标准单元库的一部分。