[发明专利]抗反射结构、显示装置及抗反射结构制作方法在审

专利信息
申请号: 201710657046.4 申请日: 2017-08-03
公开(公告)号: CN109387889A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 贵炳强;曲连杰;齐永莲;王美丽;赵合彬;邱云 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 抗反射结构 微结构 显示装置 预定波长 反射率 抗反射效果 防刮伤 折射率 填充 制作 平坦 覆盖 配置
【权利要求书】:

1.一种抗反射结构,包括:

基片;

第一微结构,呈周期性地设置于所述基片上;以及

第二微结构,填充于所述第一微结构之间以覆盖所述基片,且使得所述抗反射结构具有平坦的表面;

其中,所述第一微结构和所述第二微结构的折射率不同且配置为整体上使所述抗反射结构对预定波长的光的反射率比所述基片对预定波长的光的反射率低。

2.根据权利要求1所述的抗反射结构,其中,所述抗反射结构沿从远离所述基片至所述基片的方向对所述预定波长的光的有效折射率由小到大梯度变化。

3.根据权利要求1所述的抗反射结构,其中,所述第二微结构的材料的折射率小于所述第一微结构的材料的折射率。

4.根据权利要求1所述的抗反射结构,其中,所述第一微结构与所述基片为一体结构。

5.根据权利要求1所述的抗反射结构,其中,所述第一微结构构成一维光栅或二维光栅。

6.根据权利要求1所述的抗反射结构,其中,所述第二微结构的厚度等于或小于所述第一微结构的厚度。

7.根据权利要求1所述的抗反射结构,其中,所述第二微结构的厚度大于所述第一微结构的厚度,所述第二微结构覆盖所述第一微结构。

8.根据权利要求1所述的抗反射结构,其中,所述第一微结构的横向尺寸沿从所述基片到远离所述基片的方向逐渐减小。

9.根据权利要求1-8任一所述的抗反射结构,其中,所述基片、第一微结构和第二微结构由透明材料制成。

10.一种显示装置,包括权利要求1-9任一所述的抗反射结构,所述抗反射结构设置于所述显示装置的显示侧。

11.一种抗反射结构制作方法,包括:

提供基片;

在所述基片上形成第一微结构;以及

在所述基片上形成第二微结构;

其中,所述第一微结构呈周期性地设置于所述基片上,所述第二微结构填充于所述第一微结构之间以覆盖所述基片,且使得所述抗反射结构具有平坦的表面;

所述第一微结构和所述第二微结构的折射率不同且配置为整体上使所述抗反射结构对预定波长的光的反射率比所述基片对预定波长的光的反射率低。

12.根据权利要求11所述的抗反射结构制作方法,其中,在所述基片上形成所述第一微结构和在所述基片上形成所述第二微结构包括:

在所述基片上形成第一薄膜层;

利用第一薄膜层形成所述第一微结构;以及

在所述第一微结构上形成第二薄膜层以形成所述第二微结构。

13.根据权利要求11所述的抗反射结构制作方法,其中,在所述基片上形成所述第一微结构和在所述基片上形成所述第二微结构包括:

利用所述基片形成与所述基片一体成型的所述第一微结构;

在所述第一微结构上形成第二薄膜层以形成所述第二微结构。

14.根据权利要求11-13任一所述的抗反射结构制作方法,其中,在所述基片上形成所述第一微结构及在所述基片上形成所述第二微结构包括:

在所述基片形成光致折射率变化薄膜层;

在设定的条件下利用光照射所述光致折射率变化薄膜层,以使其用于形成所述第一微结构的部分的折射率变大或使用于形成所述第二微结构的部分的折射率变小。

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