[发明专利]QLED器件在审
| 申请号： | 201710656386.5 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390441A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇;陈崧 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26;H01L33/28;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子传输层 空穴传输层 倍增结构 纳米材料 双极性 依次层叠 底电极 顶电极 发光层 量子点 衬底 | ||
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠在衬底的底电极、双极性俄歇能量倍增结构和顶电极，所述双极性俄歇能量倍增结构为依次结合的空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，其中，所述电子传输层由n型纳米材料制成，所述空穴传输层由p型纳米材料制成。
2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述n型纳米材料为金属掺杂纳米氧化物形成的n型纳米材料。
3.如权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述n型纳米材料为铜、铁、铝、镍中的至少一种掺杂在纳米氧化钼、纳米氧化镍、纳米氧化钨、纳米氧化钒中的至少一种中形成的纳米材料。
4.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述p型纳米材料为金属掺杂纳米氧化物形成的p型纳米材料。
5.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述p型纳米材料为铝、锂、镧、铟、钆、镁中的至少一种掺杂在纳米ZnO、纳米TiO2中的至少一种中形成的纳米材料。
6.如权利要求1项所述的QLED器件，其特征在于，所述n型纳米材料和所述p型纳米材料的纳米尺寸不同。
7.如权利要求1-6任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的价带能级比量子点发光层的价带能级至少深0.5eV；和/或
所述量子点发光层的导带能级比所述空穴传输层的导带能级至少深0.5eV。
8.如权利要求1-6任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述p型纳米材料的迁移率大于10-3cm2/Vs；和/或
所述n型纳米材料的迁移率大于10-3cm2/Vs。
9.如权利要求1-6任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述空穴传输层、量子点发光层和电子传输层依次结合在所述阳极上。
10.如权利要求1-6任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述电子传输层、量子点发光层和空穴传输层依次结合在所述阴极上。
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