[发明专利]一种光学二进制半加器及制备方法有效
| 申请号： | 201710655991.0 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107357550B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张小平;杨航宇;吴永宇;单欣岩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G06F7/502 | 分类号： | G06F7/502;G03F7/42 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 王戈<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光学 二进制 半加器 制备 方法 | ||
1.一种光学二进制半加器，其特征在于，所述光学二进制半加器包括：干涉部和叠加部；所述干涉部与所述叠加部通过第一连接点和第二连接点连接；
所述干涉部包括第一连接件和第二连接件，所述第一连接件的一端通过所述第一连接点与所述叠加部连接，所述第二连接件的一端通过所述第二连接点与所述叠加部连接，所述第一连接件的另一端与所述第二连接件的另一端通过汇聚点连接；
所述光学二进制半加器的输入光源为第一光源和第二光源，所述第一光源和所述第二光源为相干光；
所述第一光源从所述第一连接点到所述汇聚点的光程为第一光程；所述第二光源从所述第二连接点到所述汇聚点的光程为第二光程；所述第一光程与所述第二光程的差为所述第一光源的半个波长的奇数倍。
2.根据权利要求1所述的光学二进制半加器，其特征在于，所述干涉部的材料为SiO2；所述叠加部的材料为SiO2。
3.根据权利要求1所述的光学二进制半加器，其特征在于，所述光学二进制半加器还包括基底，所述干涉部与所述叠加部设置在所述基底上，所述基底的材料为硅。
4.根据权利要求1所述的光学二进制半加器，其特征在于，所述第一光源和所述第二光源的产生装置为单纵模偏振激光器。
5.根据权利要求1所述的光学二进制半加器，其特征在于，所述叠加部为直线结构。
6.根据权利要求5所述的光学二进制半加器，其特征在于，所述叠加部的长度为2μm、4μm、8μm或16μm；所述叠加部的宽度为400nm、600nm、800nm或1000nm。
7.根据权利要求1所述的光学二进制半加器，其特征在于，所述第一连接件为弧形结构，所述第二连接件为弧形结构。
8.根据权利要求7所述的光学二进制半加器，其特征在于，所述第一连接件的曲率半径为6μm、8μm或10μm，所述第一连接件的度数为30°、45°、60°或90°；所述第二连接件的曲率半径为6μm、8μm或10μm，所述第二连接件的度数为30°、45°、60°或90°。
9.一种光学二进制半加器的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上采用热氧化的方法生成一层固定厚度的SiO2膜；
在所述SiO2膜上溅射一层光刻胶；
在所述光刻胶上采用刻蚀的方法加工出干涉部和叠加部，采用清洗的方法去掉多余的光刻胶；所述干涉部与所述叠加部通过第一连接点和第二连接点连接；所述干涉部包括第一连接件和第二连接件，所述第一连接件的一端通过所述第一连接点与所述叠加部连接，所述第二连接件的一端通过所述第二连接点与所述叠加部连接，所述第一连接件的另一端与所述第二连接件的另一端通过汇聚点连接；所述光学二进制半加器的输入光源为第一光源和第二光源，所述第一光源和所述第二光源为相干光；所述第一光源从所述第一连接点到所述汇聚点的光程为第一光程；所述第二光源从所述第二连接点到所述汇聚点的光程为第二光程；所述第一光程与所述第二光程的差为所述第一光源的半个波长的奇数倍。
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