[发明专利]负压式介质腔芯片系统有效
| 申请号: | 201710655430.0 | 申请日: | 2017-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN107301939B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
| 发明(设计)人: | 马硕;胡慧珊;温赛赛;王新亮 | 申请(专利权)人: | 苏州原位芯片科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01J37/20 | 分类号: | H01J37/20;H01J37/26 |
| 代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明 |
| 地址: | 215123 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 负压式 介质 芯片 系统 | ||
本发明公开了一种负压式介质腔芯片系统,所述系统包括芯片组件,所述芯片组件包括芯片膜层,所述芯片膜层上设置有入口、出口以及与所述入口和所述出口连通的介质腔,所述入口用于向所述介质腔内送入待检测介质,所述介质腔用于容纳所述待检测介质;抽气装置,所述抽气装置设置有抽气口,所述抽气口与所述芯片膜层的所述出口密闭连通,以对所述介质腔抽气,以使得所述介质腔内部形成负压。本发明的负压式介质腔芯片系统,便于对介质腔内的待检测介质实现封装,降低封装制作成本,简化封装工艺步骤,能够实现原位观测液‑液相、固‑液相界面的形貌或/及生化反应性能表征等。
技术领域
本发明涉及透射电镜用芯片系统技术领域,具体涉及一种负压式介质腔芯片系统。
背景技术
近年来,由于透射电子显微镜(TEM,Transmission Electron Microscope)、扫描电子显微镜(SEM,Scanning Electron Microscope)、光学显微镜、同步辐射等设备得以实现观测高分辨的超细微结构,在材料、物理、化学、生物等众多前沿研究领域中展现其举足轻重的地位。
但是,对于进一步观测纳米级结构的液态形貌与反应变化,在电镜或同步辐射高真空条件下的工作环境显得非常局限,因而大大缩小了应用范围,也限制了人类对于液态细微结构的更进一步了解和认知。
目前,现有技术一中,芯片载体采用将两片氮化硅膜对准盖上,并用树脂将缝隙密封上,使液体处于真空状态。
但是,这种方法具有下述缺陷:
1、操作步骤复杂且容易导致氮化硅膜观测窗口破裂;
2、需要严谨的封装技术,树脂用多了容易污染液体,用少了会影响窗口之间的密封性;
3、需要控制封装液体的量,量大则电子束无法穿透,量小则易挥发;
4、所形成的芯片载体厚度大,与TEM样品杆的样品放置口高度不匹配,难以放入TEM内观测。
5、成品率低,两片氮化硅膜难以对准,成本高。
现有技术二中,芯片载体的上下氮化硅膜均经过设计,下氮化硅膜有凹槽,上氮化硅膜搭扣在上方,上下氮化硅膜中间留有液体腔空间,并用树脂将上下氮化硅膜缝隙密封。
但是,其还存在难以封装液体,将上氮化硅膜盖下时会挤出大量液体,故无法确定是否将液体成功封装进入液体腔内、生产成本高、芯片结构复杂。
因此,如何设计一种容易封装的芯片系统成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种负压式介质腔芯片系统。
为了实现上述目的,本发明提供了一种负压式介质腔芯片系统,所述系统包括:
芯片组件,所述芯片组件包括芯片膜层,所述芯片膜层上设置有入口、出口以及与所述入口和所述出口连通的介质腔,所述入口用于向所述介质腔内送入待检测介质,所述介质腔用于容纳所述待检测介质;
抽气装置,所述抽气装置设置有抽气口,所述抽气口与所述芯片膜层的所述出口密闭连通,以对所述介质腔抽气,以使得所述介质腔内部形成负压。
优选地,所述芯片膜层包括层叠设置的第一芯片膜层和第二芯片膜层,所述第一芯片膜层的背离所述第二芯片膜层的一侧设置有所述入口和所述出口,所述第二芯片膜层的朝向所述第一芯片膜层的一侧设置有收容槽,所述收容槽形成所述介质腔,所述第一芯片膜层和所述第二芯片膜层密封连接。
优选地,所述第一芯片膜层的背离所述第二芯片膜层的一侧还设置有第一观察窗,所述第二芯片膜层的背离所述第一芯片膜层的一侧还设置有第二观察窗,所述第一观察窗和所述第二观察窗对应设置;其中,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州原位芯片科技有限责任公司,未经苏州原位芯片科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710655430.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





