[发明专利]一种电压转电流电路及装置有效

专利信息
申请号: 201710652628.3 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN107463201B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 胡蓉彬;王永禄;张正平;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;蒋和全;胡刚毅 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 李琦
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 电压 电流 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种电压转电流电路,其特征在于,包括:

第一放大器,用于接收差分电压信号的正相电压信号;

第二放大器,其与所述第一放大器相连构成第一反馈环路,采用负载将所述正相电压信号转换为第一电流信号;

第三放大器,用于接收差分电压信号的负相电压信号;

第四放大器,其与所述第三放大器相连构成第二反馈环路,采用负载将所述负相电压信号转换为第二电流信号;

第一电流镜,用于按比例镜像复制所述第一电流信号,输出正相电流;

第二电流镜,用于按比例镜像复制所述第二电流信号,输出负相电流;

其中,所述正相电流与负相电流合成差分电流;所述第一放大器为共源共栅放大器,所述第二放大器为共源放大器,所述共源共栅放大器的输入与共源放大器的输出相连,所述共源放大器的输入与共源共栅放大器的输出相连,所述共源共栅放大器与共源放大器构成第一反馈环路;

所述共源共栅放大器包括第一NMOS管、第二NMOS管与第一PMOS管,所述第一NMOS管的栅极连接第一偏置电压,其源极接地;所述第一PMOS管的源极连接电源电压,其栅极连接第二偏置电压;所述第二NMOS管的栅极连接差分电压信号的正相电压信号,其源极连接所述第一NMOS管的漏极,其漏极连接第一PMOS管的漏极。

2.根据权利要求1所述的电压转电流电路,其特征在于,所述共源放大器包括第二PMOS管与第一电阻,所述第二PMOS管的源极连接电源电压,其栅极连接于第二NMOS管与第一PMOS管之间连接节点B,其漏极连接第一电阻的一端;所述第二PMOS管与第一电阻之间连接节点A连接于第一NMOS管与第二NMOS管之间,所述第一电阻的另一端连接共源共栅电流源第五NMOS管。

3.根据权利要求1所述的电压转电流电路,其特征在于,所述第三放大器为共源共栅放大器,所述第四放大器为共源放大器,所述共源共栅放大器的输入与共源放大器的输出相连,所述共源放大器的输入与共源共栅放大器的输出相连,所述共源共栅放大器与共源放大器构成第二反馈环路。

4.根据权利要求3所述的电压转电流电路,其特征在于,所述第三放大器包括第三NMOS管、第四NMOS管与第三PMOS管,所述第三NMOS管的栅极连接第一偏置电压,其源极接地;所述第三PMOS管的源极连接电源电压,其栅极连接第二偏置电压;所述第四NMOS管的栅极连接差分电压信号的负相电压信号,其源极连接所述第三NMOS管的漏极,其漏极连接第三PMOS管的漏极。

5.根据权利要求3所述的电压转电流电路,其特征在于,所述第四放大器包括第四PMOS管与第二电阻,所述第四PMOS管的源极连接电源电压,其栅极连接于第四NMOS管与第三PMOS管之间连接节点D,其漏极连接第二电阻的一端;所述第四PMOS管与第二电阻之间连接节点C连接于第三NMOS管与第四NMOS管之间,所述第二电阻的另一端连接共源共栅电流源第五NMOS管。

6.根据权利要求1所述的电压转电流电路,其特征在于,包括第五PMOS管与第六PMOS管,所述第五PMOS、第六PMOS管的源极分别连接电源电压,其漏极分别对应输出正相电流、反相电流;其中,所述第五PMOS管与第二放大器中第二PMOS管之间栅极互连形成第一电流镜;所述六PMOS管与第四放大器中的第四PMOS管之间栅极互连形成第二电流镜。

7.根据权利要求1所述的电压转电流电路,其特征在于,所述第一放大器与第三放大器中的MOS管作为电流源为共源共栅电流源。

8.一种电压转电流装置,其特征在于:所述电压转电流装置包括如权利要求1-7中任一项所述的电压转电流电路。

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