[发明专利]一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法有效
申请号: | 201710652088.9 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN107498176B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 郭馨;王宇;丁金滨;刘斌;张立佳;周翊;赵江山;齐威 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电研究院 |
主分类号: | B23K26/00 | 分类号: | B23K26/00;B23K26/352;B23K26/402 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 董李欣 |
地址: | 100094*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 陶瓷 准分子激光 抛光 检测 方法 | ||
1.一种多孔陶瓷的准分子激光抛光检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
①利用表面粗糙度分析设备扫描多孔陶瓷待加工面的表面轮廓,作基准线将一定长度的轮廓分成两部分,使上、下两部分轮廓线与基准线之间所包含的面积相等,定义上部分为峰值,下部分为谷值,确定孔隙的平均尺寸和间距;
②使用光束均匀器和聚焦透镜实现准分子激光光束的聚焦和匀化,得到均匀光束,根据多孔陶瓷的孔隙尺寸和孔隙间距确定抛光用准分子激光的离焦量;若孔隙尺寸大于聚焦光斑的长度且孔隙平均间距大于聚焦光斑的长度,则调整离焦量使扫描光斑长度不大于孔隙间距,规划多孔陶瓷表面扫描路径,使光斑不扫描孔隙;其他情况下,规划表面的完整扫描路径;
③调整准分子激光的参数,测定多孔陶瓷的烧蚀阈值Fth;
④包括调节准分子激光的输出能量对多孔陶瓷进行抛光,使陶瓷基准线所处平面的激光能量密度为1~1.5倍Fth,陶瓷表面的尖峰位于准分子激光烧蚀区域内通过汽化去除,降低激光能量对孔隙的影响;
⑤分析多孔陶瓷抛光前的表面轮廓,以基准线为x轴,垂直于基准线为y轴建立直角坐标系,记录基准线与谷值的平均距离y0,计算抛光前多孔陶瓷的表面凸出粗糙度其中l为取样长度,y为基准线上方的轮廓距基准线的距离;
⑥分析抛光后多孔陶瓷的表面轮廓,作一条基准线,使其与谷值的平均距离为y0+y’,其中y’为抛光前后孔隙深度的变化值;根据多孔陶瓷表面轮廓位于基准线上方的峰面积和取样长度计算抛光后多孔陶瓷的表面凸出粗糙度r。
2.如权利要求1所述的方法,其中,准分子激光的波长193nm、248nm或308nm,激光能量0.1~100mJ,重复频率1~100Hz,入射角度为0-60°。
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