[发明专利]一种湿法刻蚀方法、双面太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种湿法刻蚀方法，应用于双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；

控制所述衬底结构漂浮于第一刻蚀液中，刻蚀去除所述磷硅玻璃层，其中，所述磷硅玻璃层浸入所述第一刻蚀液，且裸露所述硼扩散层和所述硼硅玻璃层；

控制所述衬底结构漂浮于第二刻蚀液中，刻蚀去除所述边缘磷扩散层，其中，所述边缘磷扩散层、硼扩散层和硼硅玻璃层浸入所述第二刻蚀液，且裸露所述磷扩散层；

控制所述衬底结构漂浮于第三刻蚀液中，刻蚀去除所述硼硅玻璃，其中，所述硼硅玻璃层浸入所述第三刻蚀液，且裸露所述磷扩散层。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀去除所述磷硅玻璃层、边缘磷扩散层和硼硅玻璃层至一种或多种时，在所述衬底结构裸露表面设置一保护水膜。

3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀液为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀液为KOH溶液、NaOH溶液或TMAH溶液，其中，所述第二刻蚀液的浓度范围为10％-40％，包括端点值。

5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀液还添加有制绒添加剂组成混合刻蚀液，其中，所述制绒添加剂在混合刻蚀液中的体积比为1％-5％，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第三刻蚀液为HF溶液，其中，所述第一刻蚀液的浓度范围为1％-40％，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述衬底硅片为N型衬底硅片。

8.一种双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底结构，所述衬底结构包括衬底硅片，所述衬底硅片一表面扩散有硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有硼硅玻璃层；及，所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散有磷扩散层，所述衬底硅片侧面扩散有边缘磷扩散层，且所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有磷硅玻璃层；

采用权利要求1～7任意一项所述湿法刻蚀方法对所述衬底结构进行刻蚀。

9.根据权利要求8所述的双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述提供一衬底结构包括：

提供一所述衬底硅片；

对所述衬底硅片进行硼扩散，其中，在所述衬底硅片一表面扩散形成所述硼扩散层，且所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述硼硅玻璃层；

在所述硼扩散层背离所述衬底硅片一侧形成掩膜层；

对所述衬底硅片进行磷扩散，其中，在所述衬底硅片背离所述硼扩散层一侧扩散形成所述磷扩散层，及，在所述衬底硅片的侧面扩散形成边缘磷扩散层，且在所述磷扩散层和所述边缘磷扩散层背离所述衬底硅片一侧形成有所述磷硅玻璃层；

去除所述掩膜层。

10.一种双面太阳能电池，其特征在于，所述双面太阳能电池采用权利要求8或9所述的双面太阳能电池的制作方法制作而成。