[发明专利]一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路

权利要求书

1.一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路，其特征在于，由三级预加重电路、LED驱动电路和整流电路组成，其中：采用三级预加重电路，用于提高由于LED频率响应较低而造成的VLC系统过窄的调制带宽；LED驱动电路，与三级预加重电路相连，采用源极跟随器驱动交流耦合的氮化镓场效应晶体管电路，可驱动大功率LED，用于给LED提供合适的工作电流，使其处于工作区；整流电路，与LED驱动电路相连并起到整流的作用，采用氮化镓场效应晶体管与超快恢复二极管并联的方式，用于提高数据传输速度以及LED驱动电路的效率；

其中，三级预加重电路，包括供电电源VDD、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9，其中供电电源VDD分别与电阻R1、电阻R3、电阻R5、电阻R7和MOS管M4的漏极相连；电容C1、电容C2、电容C3、电阻R2、电阻R4、电阻R6、电阻R8、电阻R9与接地GND相连；MOS管M4的源极分别与电阻R9和LED驱动电路的电容C4相连；电阻R1和电阻R2分别与MOS管M1的栅极相连，MOS管M1的漏极分别与电阻R3、MOS管M2的栅极相连，电阻R4和电容C1组成并联RC结构与MOS管M1的源极相连；MOS管M2的漏极分别与电阻R5、MOS管M3的栅极相连，电阻R6和电容C2组成并联RC结构并与MOS管M2的源极相连；MOS管M3的漏极分别与电阻R7、MOS管M4的栅极相连，电阻R8和电容C3组成并联RC结构并与MOS管M3的源极相连。

2.根据权利要求1所述的一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路，其特征在于，LED驱动电路，包括氮化镓场效应晶体管M5、电阻10、电阻11、电阻12、电容C4和氮化镓场效应晶体管M5供电电源VDD2，其中电阻10与电阻11组成氮化镓场效应晶体管M5的偏置电路，均与其栅极相连，电阻10与供电电源VDD2相连，电阻12与氮化镓场效应晶体管M5的源极相连，电阻11和电阻12并联且与接地GND相连，电容C4一侧与氮化镓场效应晶体管M5的栅极相连，另一侧与三级预加重电路的MOS管M4的源极相连。

3.根据权利要求1所述的一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路，其特征在于，整流电路，包括LED供电电源VLED、超快恢复二极管D1、氮化镓场效应晶体管M6、电感L1和白光LED，其中：LED供电电源VLED为白光LED供电；氮化镓场效应晶体管M6采用二极管连接方式，其栅极与源极相连，并且在氮化镓场效应晶体管M6的源漏之间并联超快恢复二极管D1；白光LED与电感L1串联，白光LED与氮化镓场效应晶体管M6的漏极相连，电感L1与氮化镓场效应晶体管M6的源极相连；LED驱动电路的氮化镓场效应晶体管M5的漏极与氮化镓场效应晶体管M6的源极相连。