[发明专利]一种低介电常数的非晶态聚合物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710650751.1 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107501573B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张艺;钱超;许家瑞;贝润鑫;刘四委;池振国 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C08J3/00 | 分类号： | C08J3/00;C08L79/08;C08L25/06;C08L33/12 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 周端仪 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 晶态 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种低介电常数非晶态聚合物的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将非晶态聚合物薄膜置于真空干燥箱中除去水分及溶剂；(2)再将其置于烘箱中10-14小时，烘箱温度为低于该聚合物玻璃化转变温度以下25-35℃；(3)然后将其置于密闭加热装置内，内部气氛为保护性气体，升温至聚合物玻璃化转变上限温度±2℃，维持恒温0.5小时以上，升温速率为5℃/min以上；(4)最后向加热装置通入液氮进行降温，降温速率大于步骤(3)的升温速率，降温速率为50℃/min以上，冷却后得到目标聚合物；所述的非晶态聚合物为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺。
2.根据权利要求1所述的低介电常数非晶态聚合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤(3)中，以恒定升温速率进行升温。
3.根据权利要求1所述的低介电常数非晶态聚合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤(3)中，保护性气体为氮气或惰性气体。
4.根据权利要求1所述的低介电常数非晶态聚合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤(4)中，以恒定降温速率进行降温。
5.权利要求1-4任一权利要求所述制备方法制得的低介电常数非晶态聚合物。
6.根据权利要求5所述的低介电常数非晶态聚合物在制备低介电材料、光电材料上的应用。
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