[发明专利]一种用于能量获取的整流电路

权利要求书

1.一种用于能量获取的整流电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一有源二极管、第二有源二极管和储能电容，所述的第一PMOS管的衬底与源极短接，所述的第二PMOS管的衬底与源极短接，所述的第一PMOS管的源极与所述的第二PMOS管的源极连接后作为整流电路的输出端，所述的第二PMOS管的栅极、所述的第一PMOS管的漏极和所述的第一有源二极管的负极相互连接后作为整流电路的第一输入端，所述的第一PMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的漏极和所述的第二有源二极管的负极相互连接后作为整流电路的第二输入端，所述的储能电容的一端与所述的整流电路的输出端连接，所述的第一有源二极管的正极、所述的第二有源二极管的正极和所述的储能电容的另一端均接地，所述的第一输入端和所述的第二输入端分别与能量采集器的两个输出端连接，所述的整流电路的输出端与DC-DC转换电路的输入端连接，所述的DC-DC转换电路的输出端与负载的一端连接，所述的DC-DC转换电路的共地端与所述的负载的另一端连接并接地；

所述的第一有源二极管包括第一NMOS管和第一比较器，所述的第一比较器包括第二NMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，所述的第三PMOS管的源极与所述的第四PMOS管的源极连接后作为所述的第一比较器的电源端，所述的第一比较器的电源端与所述的第二输入端连接，所述的第三PMOS管的衬底与所述的第四PMOS管的衬底均与所述的整流电路的输出端连接，所述的第三PMOS管的栅极和漏极短接后与所述的第四PMOS管的栅极和所述的第二NMOS管的漏极连接，所述的第三NMOS管的源极为所述的第一比较器的正向输入端，所述的第一比较器的正向输入端接地，所述的第二NMOS管的源极为所述的第一比较器的反向输入端，所述的第一比较器的反向输入端与所述的第一输入端连接，所述的第四PMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的漏极和栅极、所述的第二NMOS管的栅极连接后作为所述的第一比较器的输出端，所述的第一比较器的输出端与所述的第一NMOS管的栅极连接，所述的第一NMOS管的源极和衬底、所述的第二NMOS管的衬底和所述的第三NMOS管的衬底均接地，所述的第一NMOS管的漏极与所述的第二NMOS管的源极连接并作为所述的第一有源二极管的负极，所述的第一NMOS管的源极与所述的第三NMOS管的源极连接并作为所述的第一有源二极管的正极；

所述的第二有源二极管包括第四NMOS管和第二比较器，所述的第二比较器包括第五NMOS管、第六NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管，所述的第五PMOS管的源极与所述的第六PMOS管的源极连接后作为所述的第二比较器的电源端，所述的第二比较器的电源端与所述的第一输入端连接，所述的第五PMOS管的衬底与所述的第六PMOS管的衬底均与所述的整流电路的输出端连接，所述的第六PMOS管的栅极和漏极短接后与所述的第五PMOS管的栅极和所述的第六NMOS管的漏极连接，所述的第五NMOS管的源极为所述的第二比较器的正向输入端，所述的第二比较器的正向输入端接地，所述的第六NMOS管的源极为所述的第二比较器的反向输入端，所述的第二比较器的反向输入端与所述的第二输入端连接，所述的第五PMOS管的漏极、所述的第五NMOS管的漏极和栅极、所述的第六NMOS管的栅极连接后作为所述的第二比较器的输出端，所述的第二比较器的输出端与所述的第四NMOS管的栅极连接，所述的第四NMOS管的源极和衬底、所述的第五NMOS管的衬底和所述的第六NMOS管的衬底均接地，所述的第四NMOS管的漏极与所述的第六NMOS管的源极连接并作为所述的第二有源二极管的负极，所述的第四NMOS管的源极与所述的第五NMOS管的源极连接并作为所述的第二有源二极管的正极。