[发明专利]磁电阻效应器件

权利要求书

1.一种磁电阻效应器件，包括：第一磁电阻效应元件、第二磁电阻效应元件、输入高频信号的第一接口、输出高频信号的第二接口、信号线路、直流电流输入端子、及参考电位端子，

其中，通过所述信号线路按顺序串联连接所述第一接口、所述第一磁电阻效应元件及所述第二接口，

所述第二磁电阻效应元件中，其一端连接于所述信号线路，其另一端连接于参考电位端子，

所述第一磁电阻效应元件及所述第二磁电阻效应元件都包括磁化固定层、磁化自由层及配置在这两层之间的间隔层，

并且，所述第一磁电阻效应元件及所述第二磁电阻效应元件形成为从所述直流电流输入端子输入并在所述第一磁电阻效应元件及所述第二磁电阻效应元件的每一个中流动的直流电流的方向与每一个中的所述磁化固定层、所述间隔层及所述磁化自由层的配置顺序的关系在所述第一磁电阻效应元件中和在所述第二磁电阻效应元件中相反。

2.根据权利要求1所述的磁电阻效应器件，其中，所述第一磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率和所述第二磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率相同。

3.根据权利要求1所述的磁电阻效应器件，其中，所述第一磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率和所述第二磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率互相不同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁电阻效应器件，

其中，还包括第三磁电阻效应元件，

通过所述信号线路按顺序串联连接所述第一接口、所述第三磁电阻效应元件及所述第二接口，

所述第一磁电阻效应元件、所述第二磁电阻效应元件及所述第三磁电阻效应元件都包括磁化固定层、磁化自由层及配置在这两层之间的间隔层，

所述第一磁电阻效应元件及所述第三磁电阻效应元件形成为从所述直流电流输入端子输入并在所述第一磁电阻效应元件及所述第三磁电阻效应元件的每一个中流动的直流电流的方向与每一个中的所述磁化固定层、所述间隔层及所述磁化自由层的配置顺序的关系在所述第一磁电阻效应元件中和在所述第三磁电阻效应元件中相反，

并且，所述第三磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率比所述第一磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率及所述第二磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率高或低。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的磁电阻效应器件，

其中，还包括第四磁电阻效应元件，

所述第四磁电阻效应元件中，其一端连接于所述信号线路，其另一端连接于参考电位端子，

所述第一磁电阻效应元件、所述第二磁电阻效应元件及所述第四磁电阻效应元件都包括磁化固定层、磁化自由层及配置在这两层之间的间隔层，

所述第二磁电阻效应元件及所述第四磁电阻效应元件形成为从所述直流电流输入端子输入并在所述第二磁电阻效应元件及所述第四磁电阻效应元件的每一个中流动的直流电流的方向与每一个中的所述磁化固定层、所述间隔层及所述磁化自由层的配置顺序的关系在所述第二磁电阻效应元件中和在所述第四磁电阻效应元件中相反，

并且，所述第四磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率比所述第一磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率及所述第二磁电阻效应元件的自旋扭矩共振频率高或低。