[发明专利]一种触摸显示屏有效
申请号: | 201710649527.0 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN107507848B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 陈哲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 触摸 显示屏 | ||
本发明提供一种触摸显示屏,该触摸显示屏包括:阳极层,包括多个阳极;第一电极层,位于所述阳极层上,所述第一电极层包括多个间隔设置的条状发射电极和多个间隔设置的条状阴极;封装层,位于所述第一电极层上;第二电极层,位于所述封装层上,包括多个间隔设置的条状的接收电极;其中所述触摸显示屏具有多个有机发光单元,所述有机发光单元之间间隔设置,所述发射电极的位置与所述有机发光单元之间的间隙区域的位置对应。本发明的触摸显示屏,能够降低生产成本,提高产品良率。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种触摸显示屏。
【背景技术】
随着智能电子产品的普及,电容式触摸屏被广泛应用于各种电子产品,如智能手机、平板电脑等产品。现有的电容式触摸屏包括外挂式触摸屏、覆盖表面式触摸屏(On cellTouch panel)以及内嵌入式触摸屏(In-Cell Touch panel)。近年来,随着面板越来越轻薄化,OGS触摸屏、On cell触摸屏、In cell触摸屏被广泛应用,而由于In cell触摸屏比OGS和On cell触摸屏更轻薄、透光性更好,使其逐渐成为电容式触摸屏的主流。
随着有机发光二极管显示技术的发展,特别是AMOLED显示器低功耗高色域的技术特点,使得AMOLED成为未来发展的主要方向。目前应用于AMOLED触控面板的主流技术主要还是外挂式触摸屏。而现有的AMOLED的On cell触摸屏,如图1所示,其包括TFT基板11、依次设置TFT基板11上的有机发光层12、阴极层13、封装层14、发射电极层15、绝缘层16、接收电极层17以及硬化处理层(Hard Coat)18,该TFT基板11包括衬底基板以及依次位于衬底基板上的薄膜晶体管和阳极层。现有的触摸显示屏在完成AMOLED制程后还需要进行物理、化学沉积及黄光、蚀刻制程才能将触控感应电极制作于AMOLED背板上,制程复杂,且由于在封装层上制作两次电极,且制程温度较高,因此容易损坏有机发光层,从而降低了产品良率。
因此,有必要提供一种触摸显示屏,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种触摸显示屏,能够提高产品良率以及降低生产成本。
为解决上述技术问题,本发明提供一种触摸显示屏,其包括:
阳极层,包括多个阳极;
第一电极层,位于所述阳极层上,所述第一电极层包括多个间隔设置的条状发射电极和多个间隔设置的条状阴极;
封装层,位于所述第一电极层上;
第二电极层,位于所述封装层上,包括多个间隔设置的条状的接收电极;
其中所述触摸显示屏包括多个有机发光单元,所述有机发光单元之间间隔设置,所述发射电极的位置与所述有机发光单元之间的间隙区域的位置对应。
在本发明的触摸显示屏中,所述发射电极和所述阴极是通过蒸镀工艺对所述第一电极层进行处理得到的。
在本发明的触摸显示屏中,所述阴极与所述发射电极交替设置。
在本发明的触摸显示屏中,所述阴极的宽度大于所述发射电极的宽度。
在本发明的触摸显示屏中,所述触摸显示屏还包括金属层,所述金属层位于所述阳极层的下方,所述金属层包括第一导线,所述阳极层还包括第一连接部,所述阴极通过所述第一连接部与所述第一导线连接,所述第一导线用于连接显示区域外的信号输入端,所述信号输入端用于输入阴极电流。
在本发明的触摸显示屏中,所述触摸显示屏还包括金属层,所述金属层位于所述阳极层的下方,所述金属层包括第二导线,所述阳极层还包括第二连接部,所述发射电极通过所述第二连接部与所述第二导线连接,所述第二导线用于连接显示区域外的触控芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的