[发明专利]热处理装置有效
| 申请号： | 201710649400.9 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107818926B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 山田隆泰;阿部诚;布施和彦;渡边纯;宫胁真治 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种热处理装置，其特征在于，该热处理装置通过向基板照射闪光来加热该基板，该热处理装置包括：
室，容纳基板；
环状的支撑构件，安装于上述室的内壁面；
板状的石英基座，由上述支撑构件支撑；
闪光灯，向由上述基座支撑的基板照射闪光；
第一气体供给机构，向由上述基座以及上述支撑构件分隔而成的所述室内的上部空间供给氨气；以及
第二气体供给机构，向由上述基座以及上述支撑构件分隔而成的所述室内的下部空间供给氮气。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，
上述支撑构件以覆盖上述室的内壁面的上部的方式装卸自由地安装。
3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，
上述支撑构件的内周面为镜面。
4.根据权利要求1至3中任一所述的热处理装置，其特征在于，
上述支撑构件由铝或不锈钢形成。
5.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，
还包括卤素灯，该卤素灯从与上述闪光灯相反的一侧向由上述基座支撑的基板照射光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710649400.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热处理装置
- 下一篇：基板处理装置和基板处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
