[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具有：

在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序，以及

在所述处理室内，在维持所述第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体，对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻，以使得在所述第1非晶硅膜上形成开口的工序，

进而具有：在所述处理室内，在一部分被蚀刻后的所述第1非晶硅膜之上形成第2非晶硅膜，以填埋所述开口的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为比形成所述第1非晶硅膜时的所述处理室内的压力高的压力。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为维持所述第1非晶硅膜的蚀刻量均匀性的压力。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为1000Pa以上且50000Pa以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为10000Pa以上且40000Pa以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，将所述处理室内的压力设为20000Pa以上且30000Pa以下。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第1非晶硅膜为掺杂有掺杂剂的膜。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第2非晶硅膜为掺杂有掺杂剂的膜，使所述第1非晶硅膜中的掺杂剂浓度比所述第2非晶硅膜中的掺杂剂浓度高。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第2非晶硅膜为未掺杂掺杂剂的膜。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，将所述第1非晶硅膜中的掺杂剂浓度设为1.0×10²¹atoms/cm³以上且1.0×10²²atoms/cm³以下。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在进行对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序前，进一步具有以下工序：对所述处理室内的所述基板供应含氢气体的工序。

12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在进行对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序后，进一步具有以下工序：向所述处理室内供应含氢气体的工序。

13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述基板的表面露出有单晶硅和绝缘膜。

14.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述基板的表面设有凹部，所述凹部的底部由单晶硅构成，所述凹部的侧部由绝缘膜构成。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，

在形成所述第1非晶硅膜的工序中，在所述第1非晶硅膜与所述单晶硅的界面形成外延硅膜；

在对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序中，在不蚀刻所述外延硅膜的状态下，对所述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻。