[发明专利]数据储存装置、存储器操作方法及操作指令执行方法

说明书

本发明涉及数据储存装置、存储器操作方法及操作指令执行方法。本发明的数据储存装置包括多个非挥发式存储器以及多个指令伫列。这些指令伫列一对一对应这些非挥发式存储器。这些非挥发式存储器的操作共用一通道。数据储存装置采用任务切换机制以轮流地执行在同一通道上不同指令伫列中的操作指令。

技术领域

本发明有关于非挥发式存储器的最佳化操作。

背景技术

数据储存装置所采用的非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flashmemory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

非挥发式存储器可以多通道(multiple channels)方式操作。一通道可允许多个空间采交错式操作(interleaved way)。这些空间可以晶片致动信号(chip enablesignals)交错致动。如何最佳化一通道所对应的不同空间的交错式操作，为本技术领域一项重要课题。

发明内容

根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置，包括多个非挥发式存储器以及多个指令伫列。这些指令伫列一对一对应这些非挥发式存储器。这些非挥发式存储器的操作共用一通道。

一种实施方式中，该数据储存装置还包括一控制器，于各回合状态轮询的末检查是否在这些指令伫列间切换。该控制器在进行一回合状态轮询之末，检查上述指令伫列中非当下存取者是否指向高优先权指令，以进行指令伫列切换并执行所检查到的高优先权指令。

一种实施方式中，该数据储存装置还包括一控制器，将任务切换指令附加在各非挥发式存储器各段高优先权指令之后。该控制器在执行到上述任务切换指令时，检查上述指令伫列中非当下存取者是否指向高优先权指令，以进行指令伫列切换，执行所检查到的高优先权指令。该控制器在执行到上述任务切换指令时，若确定上述指令伫列中非当下存取者不指向高优先权指令，则更检查上述指令伫列中非当下存取者是否指向状态轮询指令或数据传输指令，以进行指令伫列切换，执行所检查到的状态轮询指令或数据传输指令。

一种实施方式中，该数据储存装置还包括一控制器，切割数据传输指令插入任务切换指令。该控制器在执行到上述任务切换指令时，检查上述指令伫列中非当下存取者是否指向高优先权指令，以进行指令伫列切换，执行所检查到的高优先权指令。

根据本发明一种实施方式实现的一非挥发式存储器操作方法，包括：以一通道操作多个非挥发式存储器；以及一对一对应这些非挥发式存储器提供多个指令伫列。

下文特举实施例，并配合附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1为本发明数据储存装置；

图2为本发明操作指令执行的流程图；

图3为多个指令伫列的示意图；

图4A及4B为操作指令执行的时序图；

图5A及5B为操作指令执行的另一时序图；以及

图6为操作指令执行的示意图。

符号说明

100～控制晶片；

102～主机；

104～输入/输出介面；

106～输入/输出控制器；

108～中央处理单元；

110～快闪存储器控制器；

112～DRAM控制器；