[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710645699.0 申请日: 2017-08-01
公开(公告)号: CN107818963B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 浅井龙彦 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/488;H01L23/492;H01L21/60
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;齐雪娇
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,是在层叠组件组合了树脂壳的半导体装置,所述层叠组件具有半导体元件、设置有电极图案且搭载了所述半导体元件的层叠基板、将所述半导体元件和所述电极图案电连接的引线框架布线、以及搭载了所述层叠基板的金属基板,

所述引线框架布线由接触到所述半导体元件的第一接合部、接触到所述电极图案的第二接合部、以及连接所述第一接合部和所述第二接合部彼此的布线部构成,

所述第一接合部的宽度和所述第二接合部的宽度分别比所述布线部的宽度宽,

所述布线部的宽度比满足所述半导体装置的作为目标的寿命的宽度窄。

2.一种半导体装置,其特征在于,是在层叠组件组合了树脂壳的半导体装置,所述层叠组件具有半导体元件、设置有电极图案且搭载了所述半导体元件的层叠基板、将所述半导体元件和所述电极图案电连接的引线框架布线、以及搭载了所述层叠基板的金属基板,

所述引线框架布线由接触到所述半导体元件的第一接合部、接触到所述电极图案的第二接合部、以及连接所述第一接合部和所述第二接合部彼此的布线部构成,

所述第一接合部的宽度和所述第二接合部的宽度分别比所述布线部的宽度宽20%以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述布线部的端面与所述第一接合部或所述第二接合部的端面接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

所述布线部在从所述第一接合部的与所述第二接合部对置的边的一端间隔预定距离的位置处,与所述第一接合部连接,且在从所述第二接合部的与所述第一接合部对置的边的一端间隔预定距离的位置处,与所述第二接合部连接。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述布线部的背面与所述第一接合部或所述第二接合部的上表面接触。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述布线部在远离所述第一接合部的端部的位置与所述第一接合部连接。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述布线部在远离所述第二接合部的端部的位置与所述第二接合部连接。

8.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

所述布线部在远离所述第二接合部的端部的位置与所述第二接合部连接。

9.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

将半导体元件搭载于层叠基板,并将所述层叠基板搭载于金属基板的组装层叠组件的工序;

将所述半导体元件和所述层叠基板上的电极图案通过引线框架布线进行电连接的工序;以及

在所述层叠组件,组合树脂壳的工序,

所述引线框架布线由接触到所述半导体元件的第一接合部、接触到所述电极图案的第二接合部、以及连接所述第一接合部和所述第二接合部彼此的布线部构成,

所述第一接合部的宽度和所述第二接合部的宽度分别比所述布线部的宽度宽,

所述布线部的宽度比满足所述半导体装置的作为目标的寿命的宽度窄。

10.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

将半导体元件搭载于层叠基板,并将所述层叠基板搭载于金属基板的组装层叠组件的工序;

将所述半导体元件和所述层叠基板上的电极图案通过引线框架布线进行电连接的工序;以及

在所述层叠组件,组合树脂壳的工序,

所述引线框架布线由接触到所述半导体元件的第一接合部、接触到所述电极图案的第二接合部、以及连接所述第一接合部和所述第二接合部彼此的布线部构成,

所述第一接合部的宽度和所述第二接合部的宽度分别比所述布线部的宽度宽20%以上。

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