[发明专利]压电超声换能器及其制备方法

权利要求书

1.一种压电超声换能器，包括中心设有空腔的基底、固定在所述基底上的振膜、与所述振膜相连的压电膜，所述压电膜包括靠近所述振膜的第一表面及远离所述振膜的第二表面，所述压电超声换能器还包括设置于所述第一表面的第一电极及设置于所述第二表面的第二电极，其特征在于，所述振膜靠近基底的边缘区域设置有通电状态下可以产生焦耳热使所述振膜的局部温度上升的电阻结构,所述电阻结构设置于振膜靠近压电膜的表面,所述压电膜的尺寸小于振膜的尺寸，且所述压电膜设置于所述振膜的中心位置,所述电阻结构环绕所述压电膜设置。

2.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述电阻结构为折叠结构、直线结构或块状结构。

3.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述基底采用硅、蓝宝石、陶瓷、玻璃或聚合物中的任意一种制备而成。

4.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述振膜采用二氧化硅、多晶硅、氮化硅或聚合物中的任意一种制备而成。

5.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述压电膜采用氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅中的任意一种制备而成。

6.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述第一电极、第二电极采用钼、铂或铝中的任意一种导电材料制备而成。

7.一种如权利要求1所述的压电超声转换器的制备方法，其包括如下步骤：

制备基底，并在基底上沉积振膜；

在振膜远离基底的一侧表面的中央制备第一电极，并在振膜的边缘制备电阻结构；

在第一电极远离振膜的表面制备压电膜；

在压电膜表面制备第二电极；

在基底上蚀刻以形成空腔。