[发明专利]电源缓启电路在审

专利信息
申请号: 201710640583.8 申请日: 2017-07-31
公开(公告)号: CN107404221A 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 潘波 申请(专利权)人: 深圳市菲菱科思通信技术股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司44228 代理人: 郑学伟,叶利军
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电源 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及电源技术领域,尤其涉及一种电源缓启电路。

背景技术

由于安装和使用的方便,现有的许多网络设备都支持外接设备的即插即用功能。所谓热插拔,也就是系统正常工作时,带电对系统的某个外接设备进行插拔操作,并且不对影响系统正常工作。

热插拔时会产生两方面的问题:

一方面,连接器的机械触点在接触瞬间会发生弹跳,从而引起电源振荡。这个电源振荡可能引起误码或系统重启,也可能引起连接器打火,从而引发火灾。

另一方面,由于外接设备上的大容量储能电容的充电效应,外接设备的电源回路上会出现很大的冲击电流。此冲击电流可能会烧毁电源保险管。所以在热插拔时必须对冲击电流进行控制,使其按理想趋势变化。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种电源缓启电路。

为实现上述目的,根据本发明实施例的电源缓启电路,所述电源缓启电路包括:

防抖动延迟电路和电流斜率控制电路;

所述防抖动延迟电路与电流斜率控制电路连接;

所述防抖动延迟电路用于所述电源缓启电路的上电时回路启动延迟;所述电流斜率控制电路用于控制所述电源缓启电路上电时回路电流的上升斜率和幅值。

根据本发明的一个实施例,所述电流斜率控制电路包括控制电路和N-MOS晶体管;

所述控制电路用于控制所述N-MOS晶体管上电时源极和漏极的导通电流的上升斜率和幅值,从而控制所述电源缓启电路回路上电时的电流上升斜率和幅值。

根据本发明的一个实施例,还包括第三电阻和第四电阻;

所述第三电阻一端与所述N-MOS晶体管的栅极连接,所述第三电阻另一端与所述第一电阻、第一电容的公共端连接;所述第四电阻一端与所述第一电容远离所述第一电阻的一端连接,所述第四电阻另一端与所述N-MOS晶体管的漏极连接;

所述第三电阻和第四电阻用于防止所述N-MOS晶体管的自激振荡。

根据本发明的一个实施例,还包括第二嵌位二极管,所述第二嵌位二极管阴极通过所述第三电阻与所述N-MOS晶体管的栅极连接,所述第二嵌位二极管阳极与所述N-MOS晶体管的源极连接;

所述第二嵌位二极管用于保护N-MOS晶体管的栅极和源极不被高压击穿。

根据本发明的一个实施例,所述控制电路包括第一电阻和第一电容;

所述第一电阻一端与所述第一电容的一端连接,所述第一电阻和第一电容的公共端与所述N-MOS晶体管的栅极连接;所述第一电阻的另一端与电源连接;所述第一电容的另一端与所述N-MOS晶体管的漏极连接;所述N-MOS晶体管的源极与参考地连接;

所述第一电容与所述N-MOS晶体管的栅极和漏极之间的电容并联,使得所述N-MOS晶体管栅极和漏极之间电容值增大。

根据本发明的一个实施例,所述防抖动延迟电路包括第二电阻和第二电容;

所述第二电阻一端与所述第二电容一端连接,所述第二电阻另一端与所述电源连接;所述第二电容另一端与所述参考地连接;所述第二电阻一端、所述第二电容的公共端与所述N-MOS晶体管的栅极连接;

所述电源通过所述第二电阻给所述第二电容充电,使所述第二电容上的电压在设定时间内上升至设定电压值,从而使所述N-MOS晶体管在设定时间内导通。

根据本发明的一个实施例,还包括双向开关二极管;所述双向开关二极管包括第一二极管和第二二极管;

所述第二二极管的阴极与所述第一二极管的阳极连接,所述第一二极管的阳极与所述第二电阻、第二电容的公共端连接,所述第一二极管阴极与所述电源连接,所述第二二极管阳极与所述第一电阻、第一电容的公共端连接;

所述双向开关第二二极管用于对防抖动延时电路和上电斜率控制电路进行隔离,防止所述N-MOS晶体管栅极和漏极之间的电容在充电过程受所述防抖动延时电路的影响。

根据本发明的一个实施例,还包括第一钳位二极管;

所述第一钳位二极管阴极与所述电源连接,所述第一钳位二极管阳极与所述参考地连接;

所述第一钳位二极管防止所述电源上的高压损坏所述电源缓启电路。

根据本发明的一个实施例,还包括第三电容和第四电容;

所述第三电容一端与所述电源连接,另一端与所述参考地连接;所述第四电容一端与所述电源连接,另一端与所述参考地连接;

所述第三电容和第四电容用于滤除所述电源缓启电路中的高频电压信号。

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