[发明专利]微影图案化方法

说明书

提供一种微影图案化的方法，包括形成材料层于基板上，其中材料层可溶于溶剂中；形成阻挡层于材料层上；以及形成光阻层于阻挡层上，其中光阻层包含光敏材料，且光敏材料溶于溶剂中。上述方法亦包含曝光光阻层；以及在显影剂中显影光阻层。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置的制作方法，更特别关于采用阻挡层以隔离有机层与其上的其他层，且其他层可能会部份溶解有机层(若直接接触)。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进步，使每一代的集成电路均比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路的演进中，功能密度(如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如制程所能形成的最小构件或线路)缩小而增加。制程尺寸缩小通常有利于增加产能并降低相关成本。上述制程尺寸缩小亦会增加集成电路的制程复杂性。

几何尺寸缩小导致半导体制程中的挑战。举例来说，有机层作为微影制程中的下方层时，其组成(如单体或高分子)会溶解于涂布其上的另一层(比如中间层或光阻层)中，造成不同材料层之间的混合边界。当几何尺寸持续缩小时制程容忍度会下降，而混合边界会限制制程容许范围(比如曝光或蚀刻的制程容许范围)，并进一步限制微影制程形成的光阻图案的关键尺寸。

如此一来，现有的微影制程方法一般适用于其发展目的，但无法完全适用于每一领域。目前亟需解决上述问题的微影方法。

发明内容

本发明一实施例提供的微影方法，包括：形成下方层于基板上；形成含硅中间层于下方层上，其中含硅中间层具有热酸产生组成；形成光敏层于含硅中间层上；对光敏层进行曝光制程；以及显影光敏层，以形成图案化的光敏层。

附图说明

图1是本发明多种实施例中，微影图案化方法的流程图。

图2A、2B、2C-1、2C-2、2D、2E-1、2E-2、2F、2G、2H、2I、与2J是一些实施例中，依据图1的方法形成目标图案的制程剖视图。

图3A与3B是一些实施例中，阻挡层中的材料组成。

【符号说明】

h1、h2 厚度

Ra 光切换单体

Rc 调整单体

Rg 反应性单体

100 方法

102、104、106、108、110、112、114、116、118、120、122 步骤

200 半导体装置

202 基板

204 图案化层

206 有机层

206a、206b、208a、208b、210a、210b 部份